型号：D1804L
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　导通电阻RDS(on)：0.65Ω（典型值，VGS=10V）
　　阈值电压（Vth）：3.0V～5.0V
　　最大功耗（PD）：50W（Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型值，VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：280pF（典型值）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（典型值）
　　上升时间（tr）：45ns
　　下降时间（tf）：75ns

D1804L具备优异的电气特性和结构设计，使其在多种功率开关应用中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压（BVDSS）确保了在高压环境下的可靠运行，适用于AC-DC电源适配器、离线式开关电源等需要直接接入市电的应用场景。其次，该器件具有较低的导通电阻RDS(on)，典型值为0.65Ω，在VGS=10V条件下可显著降低导通损耗，提升系统效率，尤其在持续大电流工作状态下优势明显。此外，D1804L采用了优化的栅极结构，输入电容较小，有助于减少驱动电路的能量消耗，并提高开关速度，从而降低开关损耗，适用于高频工作的电源拓扑如反激、正激和LLC谐振变换器。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性与过载能力。其最大功耗可达50W（在壳温25℃条件下），结合TO-252封装良好的散热性能，可在较宽温度范围内稳定工作。工作结温范围从-55℃到+150℃，适应严苛的工业环境。同时，器件内部集成的快速恢复体二极管能够有效处理感性负载产生的反向电动势，防止电压尖峰损坏MOSFET，增强了系统的鲁棒性。阈值电压范围设定在3.0V至5.0V之间，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与PWM控制器或微处理器直接接口，无需额外电平转换电路。
　　制造工艺方面，D1804L基于平面硅栅技术，保证了批次一致性与长期可靠性。器件通过了多项国际安全与环保认证，符合RoHS指令要求，无铅且绿色环保。其封装形式TO-252不仅支持表面贴装，也允许使用散热片进一步增强散热效果，适用于紧凑型高密度电源设计。总体而言，D1804L在性能、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是中等功率开关电源中理想的主开关器件选择之一。

D1804L广泛应用于各类需要高效、高压开关功能的电力电子系统中。典型应用包括离线式开关电源（SMPS），特别是反激式转换器，用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LCD显示器电源模块等消费类电子产品供电系统。在这些应用中，D1804L作为初级侧开关管，承担能量传递与电压调节的关键任务，其高耐压与低导通电阻特性有助于实现小型化与高能效设计。
　　此外，该器件也常用于LED恒流驱动电源，特别是在隔离式降压或升降压拓扑中，用于控制输入功率并实现稳定的输出电流，满足LED照明对长寿命与高可靠性的需求。在工业控制领域，D1804L可用于PLC电源模块、继电器驱动电路和小型逆变器中，执行直流母线的通断控制或实现电机调速功能。
　　其他应用场景还包括电池充电管理系统（BMS）、DC-DC升压/降压转换器、太阳能微型逆变器、家用电器（如空调、洗衣机）的电源单元以及UPS不间断电源系统。由于其具备较强的抗浪涌能力和良好的热管理特性，D1804L在瞬态负载变化频繁的环境中仍能保持稳定运行。同时，其表面贴装封装有利于自动化生产，提升了整机制造效率，因此在批量生产的电子设备中被广泛采纳。

AP1804L
　　SG1804L
　　FP1804L