时间：2025/8/5 13:35:59
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PBB190S 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率、高效率的电源转换应用中。该器件采用 TO-247 封装形式，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器等高功率应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：190A
最大漏源电压（Vds）：150V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤ 4.2mΩ
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-247
PBB190S 功率 MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件在高温下仍能保持良好的电气性能，得益于其先进的硅技术与优化的封装设计，使其具备良好的热管理和散热能力。
此外，PBB190S 提供了快速的开关性能，适用于高频开关应用，从而减小了外部滤波元件的尺寸并提高了功率密度。其栅极驱动电压范围宽广（通常为 10V 至 20V），能够兼容多种驱动电路设计。
该器件还具备较高的短路耐受能力和雪崩能量承受能力，确保在极端工作条件下的稳定性和可靠性。TO-247 封装形式便于安装和散热片连接，适合在工业级环境中使用。
PBB190S 常用于高功率密度电源系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC 升压/降压转换器、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动和电池管理系统（BMS）等应用中。由于其高电流承载能力和低导通损耗，该器件也非常适合用于需要高效率和高可靠性的工业、汽车及新能源系统中。例如，在电动汽车（EV）充电设备中，PBB190S 可用于主功率开关，以实现高效率的能量转换。
IXFN180N15T2, IXYS190N15A, IRFP4468PBF
