型号：D1762
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：9A（在TC=25°C时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：36A
　　最大功耗（PD）：2.5W（在TA=25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ（当VGS=10V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：11mΩ（当VGS=4.5V时）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：1300pF（在VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz条件下）
　　输出电容（Coss）：400pF
　　反向传输电容（Crss）：100pF
　　栅极电荷（Qg）：25nC（在VDS=15V，ID=4.5A，VGS=10V条件下）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8

D1762 N沟道MOSFET采用了罗姆公司先进的沟槽结构技术，这种结构能够在保证高电流承载能力的同时显著降低导通电阻。其典型RDS(on)仅为8.5mΩ（在VGS=10V时），这使得器件在大电流应用中能够有效减少传导损耗，提升整体系统效率。此外，在较低的驱动电压下（如4.5V），其导通电阻仍可维持在11mΩ左右，表明其具备良好的低压驱动能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，例如由微控制器或PWM控制器直接控制的开关电路。
　　该器件具有出色的开关特性，得益于较低的栅极电荷（Qg=25nC）和输入电容（Ciss=1300pF），使其在高频开关应用中表现出色。低Qg意味着驱动电路所需的能量更少，从而降低了驱动损耗并简化了栅极驱动设计。同时，输出电容和反向传输电容的优化有助于减少开关过程中的能量损耗，进一步提升转换效率。体二极管的反向恢复时间较短（trr=25ns），有助于抑制开关瞬态过程中产生的电压尖峰和电磁干扰，提高系统的可靠性和稳定性。
　　D1762采用SOP-8封装，不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，而且具备良好的散热性能。通过适当的PCB铜箔设计，可以有效将热量从芯片传导至外部环境，确保在高负载条件下也能稳定运行。该器件的工作结温可达+150°C，并支持-55°C至+150°C的宽温度范围，适用于严苛的工作环境。此外，其栅源电压耐受能力达到±20V，提供了足够的安全裕度，防止因驱动信号波动导致的栅氧层击穿。综合来看，D1762是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种现代电力电子系统。

D1762功率MOSFET广泛应用于各类需要高效能开关操作的电子设备中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作同步整流器或主开关元件，尤其是在降压型（Buck）和升压型（Boost）DC-DC转换器中表现优异。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低能量损耗，提高电源转换效率，特别适合用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统。
　　在电池供电设备中，D1762可用于电池保护电路或负载开关，实现对电池放电路径的精确控制。其低静态功耗和高响应速度有助于延长电池续航时间。此外，在电机驱动应用中，该器件可用于H桥或半桥拓扑结构中，作为功率开关驱动直流电机或步进电机，适用于小型家电、电动工具和机器人控制系统。
　　工业自动化领域中，D1762也常用于PLC模块、继电器替代方案和固态开关等场合，提供无触点、长寿命的控制功能。在LED照明驱动电源中，它可以作为恒流调节开关，配合电感和反馈电路实现高效的LED供电。此外，由于其SOP-8封装易于自动化贴片生产，因此非常适合批量制造的消费类电子产品。总之，D1762凭借其优异的电气性能和封装优势，在通信设备、汽车电子辅助系统、便携式仪器等多个领域均有广泛应用前景。

DMG2305U
　　SI2305DS
　　AO3400