时间：2025/8/5 22:20:13
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IXFT180N20X3HV是一款由IXYS公司生产的高功率密度N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电压和高电流应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能，适用于工业电源、电动车辆（EV）、可再生能源系统和高功率DC-DC转换器等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：200V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：180A
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247AC
导通电阻(RDS(on))：最大10.5毫欧
功耗(PD)：650W
IXFT180N20X3HV具有多项先进特性，以满足高功率应用的需求。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下具有较低的传导损耗，提高整体系统效率。该器件的高耐压能力使其能够可靠地工作在200V的漏源电压下，适用于需要高电压隔离的应用场景。
此外，该MOSFET采用TO-247AC封装，具有良好的热管理和高电流承载能力，支持在高温环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围为±20V，确保了在各种驱动条件下都能实现快速且可靠的开关操作，从而减少开关损耗并提高系统响应速度。
IXFT180N20X3HV的结构设计优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。同时，该器件具有良好的热稳定性，可在高负载条件下保持稳定的工作状态，降低因温度变化引起的性能波动。
该MOSFET还具备较强的短路和过载保护能力，有助于提升系统可靠性，减少因外部故障导致的损坏风险。综合来看，IXFT180N20X3HV是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种高功率电子系统。
IXFT180N20X3HV广泛应用于高功率电子设备中，如工业电源、不间断电源（UPS）、电动车辆（EV）充电系统、太阳能逆变器以及高功率DC-DC转换器。由于其优异的导通和开关性能，该器件也适用于需要高效率和高可靠性的电机驱动和电源管理系统。
IXFH180N20P3, IXFN180N20X3
