D16N05 时间：2025/12/29 13:19:16 阅读：12

D16N05是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。它采用N沟道结构，具有低导通电阻和高电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、电源开关、负载管理等高效率电源系统。该器件通常封装在TO-220或DPAK等常见的功率封装中，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：16A（在25°C）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.27Ω（最大值）
　　封装类型：TO-220AB或DPAK

特性

D16N05具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其漏源电压为500V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率电源系统。其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为16A，具备较强的电流承载能力，适合用于高效率的开关电源和电机驱动应用。
　　此外，D16N05的导通电阻较低，通常在0.27Ω以下，这有助于降低导通损耗，提高系统效率并减少发热。其最大功耗为125W，结合良好的散热设计，可以确保在高负载条件下稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在±30V之间，提高了其在不同控制电路中的兼容性。
　　该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适应各种环境条件。其封装形式如TO-220AB或DPAK不仅便于安装在印刷电路板上，还能有效散热，提高可靠性。整体来看，D16N05在性能、可靠性和散热方面均表现出色，是一款适用于多种功率电子设备的理想选择。

应用

D16N05广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。其高电压和大电流能力使其特别适用于需要高效能功率管理的场合，例如电源适配器、充电器、UPS系统和LED照明驱动电路。此外，它也常用于消费类电子产品和工业设备中的电源控制模块。