D15N05 时间：2025/12/29 14:15:03 阅读：17

D15N05 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电源管理和功率转换设备中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性的特点，适合用于DC-DC转换器、电池充电器、负载开关等电路设计。D15N05采用SOP（小外形封装）或类似的表面贴装封装，便于在紧凑空间中进行高效散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：50V
　　漏极电流（ID）：15A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大40mΩ（典型值更低）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V~2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP、DFN等表面贴装封装
　　功率耗散（PD）：约100W（具体取决于封装和散热条件）

特性

D15N05具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有较高的电流处理能力（15A连续漏极电流），适用于中高功率应用场景。此外，D15N05具备快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频工作环境。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在2.5V至10V之间正常工作，支持与多种控制器和驱动器的兼容性。D15N05还具有良好的热稳定性和可靠性，在高负载和高温环境下仍能保持稳定运行。
　　其采用的SOP或DFN封装设计不仅节省空间，还提高了热传导效率，适用于高密度PCB布局。此外，该MOSFET具有较高的雪崩耐受能力，能够在异常工况下提供一定的保护能力。

应用

D15N05广泛应用于多种电源管理与功率电子设备中。在DC-DC转换器中，它可作为高边或低边开关，实现高效的电压变换。在电池管理系统中，D15N05可用于充放电控制和负载隔离。此外，该器件也适用于电机驱动、LED照明驱动、电源适配器、同步整流电路以及各种负载开关和电源管理模块。
　　由于其高效率和高集成度，D15N05在消费电子、工业自动化、汽车电子、通信设备和便携式电子产品中都有广泛应用。特别是在需要高效率、小体积和轻重量的便携设备中，D15N05凭借其优异的导通特性和紧凑封装，成为理想选择。