类型：GaAs FET
　　工作频率范围：1GHz - 18GHz
　　封装类型：表面贴装
　　增益：典型值20dB（在10GHz）
　　噪声系数：典型值0.5dB（在10GHz）
　　输出功率：典型值23dBm（在10GHz）
　　线性度：IP3典型值33dBm
　　工作电压：+3.3V 至 +5V
　　功耗：典型值150mA
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　温度范围：-55°C 至 +150°C

D13079FBL18GCM具备多项高性能特性，使其在高频应用中表现出色。首先，其宽频带设计允许在1GHz至18GHz范围内稳定工作，适用于多种通信标准和雷达系统。其次，该器件具有低噪声系数，典型值仅为0.5dB，在10GHz频率下仍能保持良好的噪声性能，这对于接收前端的低噪声放大至关重要。此外，D13079FBL18GCM具备高增益特性，典型增益为20dB，能够有效提升信号强度，同时减少后续电路的设计复杂度。
　　该晶体管的高线性度也是其一大亮点，三阶交调截点（IP3）典型值为33dBm，使其在高动态范围应用中表现出色，能够有效降低信号失真。D13079FBL18GCM支持3.3V至5V的宽电压供电，便于与不同电源系统兼容，同时功耗较低，典型电流为150mA，适用于便携式或低功耗系统。
　　其表面贴装封装（SMD）不仅便于自动化装配，还能减少寄生效应，提高高频性能。此外，该器件具备良好的热管理和机械稳定性，能够在-55°C至+150°C的极端温度环境下稳定工作，适用于航空航天、军事和工业级应用。

D13079FBL18GCM广泛应用于高频通信系统，如无线基站、卫星通信和微波回传设备。其低噪声和高增益特性使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择，尤其是在接收链路中用于提升信号质量。此外，该器件适用于雷达系统，包括气象雷达、军用雷达和空中交通管制雷达，可提供稳定的高频信号放大。
　　由于其高线性度和宽频带特性，D13079FBL18GCM也常用于测试与测量设备，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪，以确保测试结果的准确性。在工业控制和射频识别（RFID）系统中，该器件也可作为前置放大器使用，提升系统的整体性能。

HMC414MS8E
　　NE3210S04
　　ATF-54143
　　PMR-9441
　　CMA-2752