型号：D1266
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：70A（@TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：280A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on) max）：8.5mΩ（@VGS=10V, ID=35A）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　总栅极电荷（Qg）：67nC（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：3900pF（@VDS=30V）
　　输出电容（Coss）：870pF（@VDS=30V）
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　最大功耗（PD）：200W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

D1266 N沟道MOSFET采用了先进的沟槽型场效应晶体管结构，这种设计显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了在大电流工作状态下的导通损耗，提高了系统的整体效率。其典型RDS(on)值仅为8.5mΩ，在同类60V器件中处于领先水平，这意味着在相同的工作条件下，该器件能够提供更低的压降和更小的发热，有利于提升电源转换效率并减少对散热系统的要求。同时，该MOSFET具备优异的开关性能，其输入电容（Ciss）为3900pF，输出电容（Coss）为870pF，配合较低的栅极电荷（Qg = 67nC），使得器件可以在高频PWM控制下快速开启与关断，有效降低开关损耗，特别适用于高频率工作的DC-DC变换器和同步整流应用。
　　D1266还具备良好的热稳定性和可靠性，采用TO-252封装，具有较大的焊盘面积以利于PCB上的热量传导，支持通过散热焊盘将内部产生的热量高效传递至外部环境，确保长时间运行时结温不会过高。该器件的最大结温可达+175°C，并能在-55°C至+175°C的宽温度范围内正常工作，适应严苛的工业与车载环境。此外，D1266内置一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定程度的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。其栅极氧化层经过特殊工艺处理，可耐受±20V的栅源电压，提升了抗干扰能力和使用安全性。综合来看，D1266凭借低导通电阻、高电流承载能力、优良的热管理和稳定的电气特性，成为众多高性能电源系统中的理想选择。

D1266广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在DC-DC降压或升压转换器中作为主开关或同步整流开关使用，能够显著提升转换效率并减小系统体积。它也常见于电池供电设备的电源管理单元，如便携式工业仪表、电动工具和UPS不间断电源等，用于实现高效的能量传输与分配。在电机驱动领域，D1266可用于H桥电路中的低端或高端开关元件，驱动直流电机或步进电机，因其低导通电阻可减少发热，延长设备使用寿命。此外，该器件还适用于汽车电子系统中的辅助电源模块、LED驱动电源以及车载充电器等场景，满足汽车行业对可靠性和温度适应性的严格要求。在消费类电子产品中，如大功率适配器、游戏主机电源板和服务器电源模块中，D1266也被广泛采用以实现小型化与高能效的设计目标。其表面贴装封装形式（TO-252）便于自动化贴片生产，适合大规模制造需求。

RJK0630DPB
　　IPD95R1K3P7