D1094ED 时间：2025/10/11 2:29:40 阅读：19

D1094ED是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率、低导通电阻和快速开关特性的电子设备中。该器件采用先进的沟槽栅极工艺技术制造，具备优良的电气性能和热稳定性，能够在较高的环境温度下可靠运行。D1094ED因其小尺寸封装和高性能表现，特别适合空间受限但对功耗敏感的应用场合。其封装形式为SOP-8（小型化表面贴装封装），便于自动化贴片生产，并具备良好的散热能力。该MOSFET设计用于在低电压控制条件下实现高效的功率切换，支持现代节能型电子产品的发展需求。

参数

型号：D1094ED
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：12A（在Tc=25℃时）
　　脉冲漏极电流(Id_pulse)：48A
　　导通电阻(Rds(on))：最大7.5mΩ（当Vgs=10V时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大9.0mΩ（当Vgs=4.5V时）
　　阈值电压(Vth)：典型值1.5V，范围1.0V至2.5V
　　输入电容(Ciss)：典型值1200pF（在Vds=15V，Vgs=0V，f=1MHz）
　　输出电容(Coss)：典型值350pF
　　反向传输电容(Crss)：典型值100pF
　　栅极电荷(Qg)：典型值20nC（在Vds=15V，Id=6A，Vgs=10V）
　　体二极管反向恢复时间(Trr)：典型值30ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ 至 +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：SOP-8（Power SOP）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

D1094ED采用了罗姆专有的沟槽栅极结构与高密度元胞设计，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而有效减少导通损耗，提升系统整体能效。其在Vgs=10V时Rds(on)低至7.5mΩ，在Vgs=4.5V时仍可保持9.0mΩ的优异水平，说明该器件不仅适用于标准栅极驱动电路，也能在低压逻辑信号直接驱动的场景中稳定工作，例如由3.3V或5V微控制器IO口直接控制。这种低门槛驱动能力大大简化了外围驱动电路的设计，减少了额外电平转换或驱动IC的需求。
　　该器件具备出色的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg=20nC）和优化的寄生电容（Ciss、Coss、Crss），使其在高频开关应用中表现出色，如同步整流、DC-DC降压变换器等。快速的开关响应有助于减小开关损耗，提高电源系统的转换效率。同时，体二极管的反向恢复时间较短（Trr≈30ns），可降低在感性负载关断过程中产生的电压尖峰和EMI干扰，增强系统可靠性。
　　SOP-8 Power封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还通过底部裸露焊盘设计增强了散热性能，允许器件在较高功率密度下持续工作。该封装符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。此外，D1094ED具有良好的热稳定性与长期可靠性，经过严格的高温高压测试验证，可在工业级甚至部分汽车级环境中稳定运行。器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和抗静电能力（ESD），提高了在异常工况下的耐受性。

应用

D1094ED广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，特别是在便携式电子设备和嵌入式系统中发挥关键作用。典型应用场景包括笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备中的DC-DC降压转换器，用于实现电池供电到核心处理器、内存和其他功能模块的高效电压调节。其低导通电阻和快速开关特性使得电源转换效率显著提升，延长了设备续航时间。
　　在电机驱动领域，D1094ED可用于小型直流电机、步进电机或风扇电机的H桥或半桥驱动电路中，作为上桥或下桥开关元件，提供精确的PWM调速控制。由于其支持大电流脉冲（Id_pulse达48A），能够应对电机启动或堵转时的瞬态大电流冲击，保障系统稳定运行。
　　此外，该器件也适用于LED驱动电源、USB电源开关、热插拔控制器、负载开关模块以及各种电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。在通信设备、工业控制板卡和消费类电子产品中，D1094ED常被用作高边或低边开关，实现电源通断控制或信号路径切换。其SOP-8封装便于自动化生产，适合大规模贴片组装，满足现代电子产品对小型化、高集成度和高可靠性的综合要求。