MDR742F-T 时间：2025/4/30 20:20:33 阅读：3

MDR742F-T 是一款 N 沃特功率晶体管，采用 TO-263 封装形式。它属于 MOSFET 类型的电子元器件，主要用于开关和功率放大等应用场合。该型号具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理和电机驱动领域。
　　MDR742F-T 的设计使其在高效率和高性能应用中表现出色，其封装形式也确保了良好的散热性能，能够适应较为严苛的工作环境。

参数

类型：N 沃特 MOSFET
　　封装：TO-263
　　最大漏源电压 VDSS：80V
　　最大栅源电压 VGSS：±20V
　　最大连续漏极电流 ID：15A
　　最大脉冲漏极电流 IXP：45A
　　导通电阻 RDS(on)（典型值）：2.9mΩ
　　总功耗 Ptot：75W
　　工作结温范围 Tj：-55℃ 至 +175℃
　　存储温度范围 Tstg：-55℃ 至 +175℃

特性

MDR742F-T 具有以下主要特性：
　　1. 低导通电阻（2.9mΩ），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用。
　　3. 高击穿电压（80V），增强了器件的耐压能力。
　　4. 较高的连续漏极电流（15A），能够应对较大负载需求。
　　5. 宽泛的工作结温和存储温度范围（-55℃ 至 +175℃），保证在极端条件下稳定运行。
　　6. TO-263 封装提供良好的散热性能，便于集成到复杂电路中。

应用

MDR742F-T 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率转换和控制。
　　2. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　3. 工业自动化设备中的功率管理。
　　4. 消费类电子产品中的高效电源解决方案。
　　5. LED 照明驱动器中的功率调节。
　　6. 各种需要高效率和高性能功率开关的应用场景。