型号：D1038
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：18A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：72A
　　导通电阻RDS(on)：典型值6.5mΩ（VGS=10V），最大值8.5mΩ（VGS=10V）
　　阈值电压Vth：典型值1.4V，范围1.0V～2.0V
　　输入电容Ciss：约1900pF（VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz）
　　输出电容Coss：约600pF
　　反向传输电容Crss：约100pF
　　栅极电荷Qg：约30nC（VGS=10V, ID=9A）
　　功耗PD：3W（Tc=25°C）
　　工作结温范围：-55°C～+150°C
　　存储温度范围：-55°C～+150°C
　　封装类型：SOP-8 Power Package（带散热片）

D1038 N沟道MOSFET采用了ROHM专有的沟槽结构工艺，这种先进的制造技术显著降低了器件的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其典型的RDS(on)仅为6.5mΩ，在同类30V器件中处于领先水平，这意味着即使在大电流条件下也能保持较低的温升，有利于延长系统寿命并减少散热设计负担。该MOSFET具备快速的开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg ≈ 30nC）和优化的寄生电容分布，使其非常适合用于高频开关电源应用，例如同步整流DC-DC变换器和电池供电系统的电源管理单元。此外，D1038的阈值电压控制在1.0V至2.0V之间，确保了在逻辑电平驱动信号下能够可靠开启，兼容大多数微控制器和驱动IC的输出电平。
　　该器件还集成了多项可靠性增强功能。它具有较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压事件中提供一定程度的自我保护，防止因电感负载关断产生的电压尖峰导致永久性损坏。同时，D1038内置了一定程度的静电放电（ESD）防护机制，提高了在生产装配和现场使用过程中的鲁棒性。其SOP-8 Power Package封装不仅体积小巧，便于自动化贴装，而且底部带有裸露的散热焊盘，可通过PCB上的大面积铜箔实现高效热传导，有效降低热阻，提升功率密度。这种封装形式特别适合空间受限但又需要良好散热性能的应用场景。
　　在环境适应性方面，D1038支持宽泛的结温工作范围（-55°C～+150°C），可在恶劣温度环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子外围电路。器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。此外，ROHM为D1038提供了完整的应用技术支持文档，包括详细的规格书、热仿真模型和参考设计，帮助工程师快速完成产品选型与电路优化。这些综合特性使得D1038成为高性能、低成本功率开关解决方案中的优选器件之一。

D1038功率MOSFET主要应用于需要高效能开关操作的各种电子系统中。其典型应用场景包括但不限于：同步整流型DC-DC降压或升压转换器，其中作为低边或高边开关使用，利用其低RDS(on)特性来减少传导损耗，提高电源转换效率；在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，用于电池充放电控制、负载开关和电源路径管理；在电机驱动电路中作为H桥结构中的开关元件，控制直流电机或步进电机的正反转与调速；还可用于LED驱动电源、热插拔控制器、USB电源开关以及各类过流保护电路中。
　　由于其具备良好的热性能和紧凑的封装尺寸，D1038也常被用于空间敏感型工业控制模块，例如PLC扩展板、传感器供电单元和小型继电器替代方案。在汽车电子领域，尽管其电压等级限制在30V以内，但仍可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）中的灯光控制或车窗升降驱动等低压应用。此外，D1038也可作为理想二极管替代方案，用于防止反向电流流动，提升系统能效。其快速开关能力和稳定的电气参数使其在高频开关环境中表现出色，尤其适合工作频率在数百kHz以上的开关电源设计。配合合适的栅极驱动电路，D1038能够实现平滑的开关过渡，减少电磁干扰（EMI）问题。总之，D1038凭借其优异的性能指标和广泛的适用性，已成为众多中低功率电力电子设计中的关键组件。

DMG1014UFG-7
　　SI4336DY-T1-E3
　　FDS6680A
　　AO3400