型号：CYONS2000-LBXC
　　类型：N沟道增强型SiC MOSFET
　　漏源电压VDS：1200 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：20 A
　　连续漏极电流ID（@100°C）：12 A
　　脉冲漏极电流IDM：80 A
　　导通电阻RDS(on)：80 mΩ（@VGS=18V, Tj=25°C）
　　输入电容Ciss：3.1 nF（@VDS=600V, f=1MHz）
　　输出电容Coss：0.65 nF
　　反向恢复电荷Qrr：接近于0（体二极管为JBS结构）
　　开启延迟时间td(on)：25 ns
　　关断延迟时间td(off)：45 ns
　　工作结温范围Tj：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围Tstg：-55 °C 至 +185 °C
　　封装形式：TO-247-3L

CYONS2000-LBXC具备卓越的静态与动态电学性能，其核心优势源于碳化硅材料的物理特性。首先，该器件具有极低的导通电阻RDS(on)，在1200V耐压等级下仍能实现80mΩ的低阻值，大幅降低导通损耗，尤其在大电流工况下表现突出。其次，由于SiC材料的宽禁带特性，器件可在高达175°C的结温下长期稳定运行，远高于传统硅基MOSFET的150°C限制，从而提升了系统的热裕度和可靠性。此外，该器件拥有出色的开关速度，开启和关断延迟时间分别仅为25ns和45ns，在高频开关应用中可显著减少开关损耗，支持更高的PWM频率，有助于减小磁性元件体积，提升功率密度。
　　CYONS2000-LBXC的栅极设计优化了阈值电压稳定性，典型Vth为3.5V，具备良好的抗噪声能力和驱动兼容性，可与主流栅极驱动IC无缝配合。其体二极管采用结势垒肖特基（JBS）结构，反向恢复电荷Qrr趋近于零，极大降低了硬开关过程中的反向恢复损耗和电磁干扰（EMI），特别适用于桥式拓扑如全桥LLC、图腾柱PFC等高效电路结构。同时，该器件具备优秀的短路耐受能力，在特定条件下可承受数微秒的短路电流，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　在可靠性方面，CYONS2000-LBXC通过AEC-Q101认证，适用于汽车级应用，并经过严格的高温高压栅极偏置（HV-H3TRB）、高温反向偏置（HTRB）和高温栅极循环测试，确保在恶劣环境下长期工作的稳定性。其TO-247-3L封装采用铜夹片连接技术，降低了寄生电感和热阻，提升了散热效率和功率循环寿命，适合高功率密度设计需求。综合来看，该器件在效率、热性能、可靠性和系统集成度方面均达到先进水平，是替代传统IGBT和硅MOSFET的理想选择。

CYONS2000-LBXC广泛应用于对能效和功率密度有严苛要求的电力电子系统中。在新能源汽车领域，该器件被用于车载充电机（OBC）的图腾柱无桥PFC电路以及DC-DC变换器中，凭借其高频低损特性显著提升充电效率并缩小整机体积。在直流快充桩中，作为主功率开关器件参与AC-DC和DC-DC两级转换，支持30kW以上高功率输出，满足快速充电需求。在光伏逆变器中，CYONS2000-LBXC可用于DC-AC逆变级或MPPT升压电路，提高系统最大效率至99%以上，延长发电时间并降低LCOE（平准化度电成本）。
　　在工业电源领域，该器件适用于高功率服务器电源、通信电源和UPS不间断电源中的LLC谐振变换器或主动钳位反激拓扑，实现高效率和高功率密度设计。此外，在储能系统（ESS）的双向DC-DC变换器中，其双向导通能力和低损耗特性有助于提升充放电循环效率。在电机驱动方面，该器件可用于中高频感应加热电源或高端伺服驱动器，支持更高开关频率带来的电流波形精度提升和滤波器小型化。
　　得益于其汽车级可靠性和宽温域工作能力，CYONS2000-LBXC也适用于轨道交通、智能电网设备和航空航天等高端工业领域。例如，在铁路牵引辅助电源中，其高温稳定性和抗辐射能力保障了极端环境下的安全运行。总体而言，该器件适用于所有需要高效率、高频率、高温稳定性和小型化的中高功率电力转换场景，推动能源系统的绿色升级和技术迭代。

CREE C2M0080120D
　　ROHM SCT3080AL
　　Infineon IMW120R080M1H
　　STMicroelectronics SCTW120N10W8AG