制造商：Infineon Technologies
　　系列：CY7C2642KV18
　　存储器类型：Dual-Port SRAM
　　存储器格式：512K × 36
　　存储容量：18 Mbit
　　供电电压：1.71V ~ 1.98V
　　接口类型：并行，同步双端口
　　时钟频率：333 MHz
　　访问时间：3 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装/外壳：165-BGA（11×13）
　　引脚数：165
　　数据总线宽度：36 位
　　端口类型：双同步端口
　　每字数据宽度：36 位
　　最大写入周期时间：3 ns
　　最大读取周期时间：3 ns
　　同步模式：单时钟或双时钟模式可选
　　I/O 电平兼容性：LVTTL / HSTL 可配置

CY7C2642KV18-333BZXC 具备卓越的双端口同步架构设计，能够在两个独立端口之间实现真正的并发访问能力，极大地提升了多处理器系统间的数据吞吐效率。其内部存储阵列为 512K × 36 位组织方式，通过高密度 CMOS 工艺制造，在保证大容量的同时维持了较低的动态和静态功耗水平。每个端口都配备独立的地址、数据和控制线路，并支持完全同步的操作模式，所有输入输出操作均与时钟边沿对齐，从而消除了异步延迟带来的不确定性，提高了系统的确定性和稳定性。
　　该器件支持灵活的时钟配置选项，包括单一公共时钟模式和双独立时钟模式，使得它能够适应不同的系统拓扑结构需求。例如，在主从式架构中可以使用共同时钟简化时序管理；而在跨时钟域应用中则可启用双时钟模式以实现异频甚至异相操作。为了进一步提升可靠性，芯片集成了先进的仲裁逻辑电路，用于处理两个端口同时访问相同地址时可能出现的冲突情况，并可通过硬件信号（如 BUSY 或 SEMAPHORE）通知主机采取相应措施。
　　此外，CY7C2642KV18-333BZXC 提供了丰富的功能引脚，如片选（CE）、写使能（WE）、输出使能（OE）以及中断请求等，便于实现复杂的控制流程。其 I/O 接口支持 LVTTL 和 HSTL 电平可配置，增强了与其他逻辑器件的互连兼容性。内置的低功耗管理模式允许在非活跃状态下关闭部分电路模块，显著降低待机电流消耗，特别适用于长时间运行且注重能效比的通信基础设施设备。
　　该芯片还具备优异的热稳定性和抗噪声干扰能力，采用 165 球 BGA 封装，不仅节省 PCB 占地面积，而且通过底部接地球有效改善散热性能。所有关键参数均经过严格测试，并在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内保证正常工作，确保其在恶劣环境下的长期可靠运行。

CY7C2642KV18-333BZXC 主要面向高性能、高可靠性的通信与网络系统，典型应用场景包括宽带接入设备、核心路由器、交换机、无线基站基带处理单元以及多媒体网关等。在这些系统中，多个处理器或 DSP 核心经常需要实时共享大量数据，例如数据包头信息、路由表项或音频视频流缓存，传统的单端口 SRAM 往往成为性能瓶颈。而该双端口 SRAM 能够让两个主控单元并行读写同一内存区域，显著减少数据拷贝开销和访问延迟，提高整体系统响应速度。
　　在电信交换系统中，它可以作为信令缓冲区或呼叫记录暂存器，支持主备处理器之间的无缝切换和状态同步。在网络处理器架构中，常被用作输入输出队列管理的共享内存池，协助实现高效的流量调度与 QoS 控制。此外，在图像处理和雷达信号处理领域，该芯片可用于帧缓冲或 FFT 数据交换，满足高速采集与分析之间的数据桥接需求。
　　由于其同步接口特性，该器件也适用于需要精确时序控制的测试测量仪器和工业自动化控制器，尤其是在运动控制或多轴同步系统中充当共享参数存储区。同时，得益于其低电压和低功耗特性，也适合部署于户外通信节点或远程终端设备，这些场景通常对散热和电源效率有较高要求。总之，凡是涉及多主控协同工作的高速嵌入式系统，都是 CY7C2642KV18-333BZXC 的理想应用领域。

CY7C2642KV18-333BZXI
　　CY7C2642KV18-300BZXC
　　CY7C2642KV18-300BZXI