时间：2025/10/7 23:42:20
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UPS1E101MED是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的通用型P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于便携式电子设备和电源管理电路中。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似小型化封装），适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。作为P沟道MOSFET，UPS1E101MED在栅极施加相对于源极为负电压时导通，适用于低侧或高侧开关应用，尤其在电池供电系统中常用于负载开关、电源通断控制以及反向电流保护等场景。该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统能效。此外，其快速的开关特性使其适用于需要频繁开关操作的应用环境。由于其良好的热稳定性和可靠性，UPS1E101MED被广泛用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线耳机以及其他便携式设备中的电源管理模块。
型号：UPS1E101MED
通道类型：P沟道
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-1.9A
脉冲漏极电流（IDM）：-4.8A
导通电阻RDS(on)：-75mΩ（@ VGS = -4.5V）
导通电阻RDS(on)：-95mΩ（@ VGS = -2.5V）
阈值电压（Vth）：-0.6V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：230pF（@ VDS=10V）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
功率耗散（PD）：200mW
UPS1E101MED具备优异的电气性能和热稳定性，能够在宽温度范围内可靠运行，适用于各种严苛的工作环境。其P沟道结构设计使得在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现负载的通断控制，简化了电源管理系统的设计复杂度并降低了整体成本。该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容，这意味着它可以在高频开关条件下快速响应，减少开关延迟和开关损耗，从而提升系统的动态响应能力和能效表现。此外，其-75mΩ的低导通电阻在同类P沟道器件中处于领先水平，显著降低了导通期间的I2R损耗，特别适合用于电池供电设备以延长续航时间。
该器件还具备良好的抗静电能力（ESD保护）和过温耐受性，增强了在实际应用中的鲁棒性。由于采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，UPS1E101MED在保持小尺寸的同时实现了较高的电流承载能力，满足现代电子产品对微型化和高性能的双重需求。其SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，提升了制造效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于工业级和消费级产品的大规模量产。数据手册中提供的详细参数和应用建议也方便工程师进行电路仿真与优化，缩短产品开发周期。
UPS1E101MED主要应用于便携式电子设备中的电源开关和负载控制电路，例如智能手机和平板电脑中的LCD背光驱动开关、外设电源管理、电池充放电路径控制等。在可穿戴设备如智能手表和TWS耳机中，常用于耳机电流的启停控制或传感器模块的供电管理，以实现低功耗待机和按需唤醒功能。此外，该器件也可用于USB接口的电源开关，防止过流或短路故障对主电源造成影响，起到一定的保护作用。在工业控制领域，可用于小型继电器驱动电路或逻辑电平转换器中的开关元件。由于其快速的开关响应能力，也适用于DC-DC转换器中的同步整流或高端驱动应用。在电池管理系统（BMS）中，可用于电池组的充放电隔离控制，防止反向电流流动。同时，因其良好的温度稳定性，可在汽车电子中的非动力域低压系统中使用，如车载信息娱乐系统的电源管理。总之，凡是对空间、功耗和可靠性有较高要求的低电压、中等电流开关场合，UPS1E101MED均是一个理想的选择。
DMG2301U,MCH2223,PMBFJ329,FDG330P
