制造商：Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
　　系列：CY7C263
　　存储类型：SRAM
　　存储容量：256 Kbit
　　存储组织：32K x 8
　　速度：45 ns
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　工作温度：0°C ~ 70°C
　　封装/外壳：28-DIP（双列直插式）
　　引脚数：28
　　接口类型：并行
　　数据总线宽度：8 位
　　访问时间：45 纳秒
　　功耗（典型值）：1100 mW
　　待机电流：20 mA（最大）
　　输入电平：TTL 兼容
　　输出类型：三态

CY7C263-45PC 具备多项关键特性，使其成为高性能异步 SRAM 应用中的理想选择。首先，其高速访问时间为 45 纳秒，能够在高频率下稳定运行，满足大多数实时处理系统对数据读写的响应速度需求。这种性能水平使得它非常适合用于缓存、数据缓冲区以及需要频繁读写操作的应用场景，例如网络设备、测试仪器和工业控制器等。
　　其次，该芯片采用全静态设计，所有地址和数据信号的变化仅在控制信号（如 Chip Enable、Output Enable 和 Write Enable）的作用下才会影响内部存储阵列，避免了动态 RAM 所需的复杂刷新机制，从而降低了系统设计难度和外围电路复杂度。同时，静态操作也保证了即使在低频或暂停状态下仍能保持数据不丢失，增强了系统的稳定性与可靠性。
　　再者，CY7C263-45PC 支持低功耗待机模式。当片选信号 CE 处于高电平时，芯片进入待机状态，此时的电流消耗显著降低，有助于延长电池供电系统的续航时间或减少整体功耗。尽管其主要应用于 +5V 系统，但其 TTL 输入兼容性确保了与多种逻辑器件的无缝对接，提升了系统集成的灵活性。
　　另外，该器件具备三态输出功能，允许数据总线在多个设备之间共享而不会发生冲突。通过 OE 和 WE 控制信号的精确时序配合，可以实现高效的读写切换和总线仲裁，适用于多主控或多外设架构的嵌入式系统。其 28-DIP 封装不仅便于手工装配和调试，也适用于自动化插件生产线，兼顾了研发阶段的便利性和量产的可行性。
　　最后，CY7C263 系列经过严格的质量认证，具有良好的温度稳定性和长期可靠性，可在商业级温度范围（0°C 至 70°C）内稳定工作，适用于各种环境条件下的工业和通信设备。这些综合特性使 CY7C263-45PC 成为传统异步 SRAM 设计中的可靠选择之一。

CY7C263-45PC 广泛应用于需要高速、稳定、非易失性无关的数据存储解决方案的各类电子系统中。由于其异步接口和 45ns 的快速访问时间，常被用作微处理器或微控制器系统的外部数据存储器，特别是在那些无法依赖片上内存资源的应用中，例如早期的 8 位或 16 位 CPU 系统（如 8051、68HC11 或 Z80 架构）中作为程序缓冲区或变量存储空间。
　　在通信设备领域，该芯片可用于帧缓冲、协议处理中间数据暂存、路由器或交换机中的报文队列管理等任务。其并行接口结构支持高吞吐量数据传输，适合需要快速响应的通信接口模块。此外，在工业自动化控制系统中，CY7C263-45PC 可作为 PLC（可编程逻辑控制器）的数据暂存单元，用于采集传感器数据或保存执行指令，保障控制过程的连续性和实时性。
　　测试与测量仪器也是其重要应用方向之一。例如，在数字示波器、逻辑分析仪或频谱仪中，该 SRAM 芯片可用于临时存储采样数据，供后续处理或显示使用。由于其无需刷新且读写速度快，能够有效支持高速数据流的捕获与回放功能。
　　此外，该器件还常见于医疗设备、航空航天电子系统、军事通信终端以及老式游戏机或嵌入式显示控制器中。在科研和教育领域，因其封装易于焊接和调试，常被用于教学实验板或 FPGA 开发平台的外扩存储模块设计。总之，凡是对数据访问速度有一定要求且需要简单易用的并行 SRAM 接口的场合，CY7C263-45PC 均是一个成熟可靠的解决方案。

CY7C263-45JCT
　　CY7C263-45ZC
　　IS62C256-45L
　　AS6C256A-45BIN
　　MCM62C256AP-45