时间：2025/12/25 22:18:39
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CY7C261-45QMB 是由赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高性能CMOS SRAM系列，采用标准的4Mbit（256K × 16）组织结构，广泛应用于需要快速数据访问和高可靠性的通信、网络和工业控制系统中。该芯片封装形式为84引脚MQFP（Plastic Metric Quad Flat Package），适用于对空间布局有一定要求但又需保持良好散热性能的应用场景。
CY7C261-45QMB 工作电压为3.3V ± 0.3V，支持TTL兼容的输入输出电平，便于与多种逻辑器件接口连接。其最大访问时间为45纳秒，意味着在高频系统时钟下仍能提供稳定的数据响应能力，适合用于缓存、帧缓冲或实时数据处理模块等场合。该器件具备低功耗待机模式，当片选信号处于非激活状态时自动进入低功耗状态，有助于提升系统整体能效。
该芯片设计符合工业级温度范围规范（-40°C 至 +85°C），能够在恶劣环境条件下稳定运行，因此常被选用在电信基站、路由器、交换机以及工业自动化设备中。此外，CY7C261 系列还集成了先进的抗干扰技术和可靠性保障机制，如噪声抑制电路和输出使能控制功能，有效防止总线竞争和信号回流问题，提升系统的稳定性与安全性。
类型：异步SRAM
密度：4 Mbit
组织结构：256K × 16
工作电压：3.3V ± 0.3V
访问时间：45 ns
封装类型：84-pin MQFP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
输出类型：TTL 兼容
电源电流（工作）：典型值 180 mA
电源电流（待机）：典型值 30 mA
读写操作：支持字节写使能（UB/LB）控制
CY7C261-45QMB 具备多项关键特性，使其成为高性能嵌入式系统中理想的存储解决方案之一。首先，其45纳秒的快速访问时间确保了在高速处理器或数字信号处理器（DSP）系统中实现无缝数据交互，减少了等待周期，提升了整体系统吞吐量。该器件采用全静态设计，无需刷新操作即可维持数据完整性，降低了系统控制复杂度，并提高了运行可靠性。
其次，该SRAM支持独立的高位字节（UB）和低位字节（LB）写使能控制，允许系统仅更新特定字节而不影响另一字节内容，这一功能在16位总线系统中尤为实用，可提高数据写入效率并减少不必要的总线活动。此外，输出使能（OE）引脚的设计使得多个存储器可以共享同一数据总线，通过三态输出控制避免总线冲突，增强了系统的可扩展性。
在功耗管理方面，CY7C261-45QMB 提供了低功耗待机模式。当片选信号CE1为高电平或CE2为低电平时，芯片自动进入待机状态，显著降低静态功耗，这对于长期运行且注重能效的工业和通信设备至关重要。同时，该器件具有优异的抗噪性能和电磁兼容性（EMC），内部集成去耦和滤波电路，有效抑制开关噪声和串扰，保证信号完整性。
从制造工艺来看，该芯片基于先进的CMOS技术制造，不仅实现了高集成度和低漏电流，而且具备良好的热稳定性，可在宽温范围内保持一致的电气特性。其84引脚MQFP封装提供了足够的I/O引脚密度，同时兼顾焊接可靠性和散热需求，适用于自动化贴片生产线，便于大规模量产应用。
CY7C261-45QMB 广泛应用于各类高性能电子系统中，尤其是在需要快速、可靠数据存取的场景中表现突出。在通信领域，它常被用作网络路由器、交换机和基站中的帧缓冲器或队列存储单元，用于临时存放待处理的数据包，确保信息能够以最低延迟进行转发和调度。
在工业控制和自动化系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及运动控制器中作为程序缓存或中间数据存储区，支持实时任务调度和高速数据采集。由于其工业级温度适应能力和高抗干扰性，特别适合部署在工厂车间、电力系统变电站等环境恶劣的场所。
此外，在测试与测量仪器中，例如示波器、频谱分析仪等高端设备，CY7C261-45QMB 可作为高速采样数据的暂存区，配合ADC和DAC实现精确信号重构。在医疗成像设备中，也可用于图像预处理阶段的像素数据缓冲。
该器件还适用于军事和航空航天领域的嵌入式系统，因其具备较高的可靠性和稳定性，在雷达信号处理、飞行控制计算机等关键子系统中发挥重要作用。随着传统SRAM市场逐渐向更先进制程迁移，CY7C261-45QMB 仍因其成熟的设计、充足的供货渠道和良好的技术支持而在许多存量设计中持续使用。
CY7C261-45ZC
CY7C261-55QMB
IS61LV25616-45TLI
AS6C25616-45PIN
