型号：CY7C261-20WC
　　制造商：Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
　　类型：异步SRAM
　　存储容量：32K x 8位 (256Kb)
　　访问时间：20 ns
　　供电电压：4.5V ~ 5.5V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C (商业级)
　　封装类型：24-pin DIP 或 SOIC
　　接口类型：并行
　　数据总线宽度：8位
　　读写控制信号：CE (片选), OE (输出使能), WE (写使能)
　　功耗模式：全静态操作，待机模式下低功耗
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　封装尺寸：根据具体封装形式有所不同

CY7C261-20WC作为一款经典的高速异步SRAM器件，具备多项关键技术特性以满足复杂电子系统对性能与可靠性的需求。首先，其20ns的快速存取时间使其能够在高频微处理器系统中充当缓存或主存储器使用，显著提升系统的响应速度和数据吞吐能力。该器件采用CMOS工艺制造，在保证高速运行的同时实现了较低的动态和静态功耗，尤其在待机状态下电流消耗极小，有助于延长便携式设备或电池供电系统的续航时间。
　　其次，CY7C261-20WC支持全静态操作，这意味着只要电源持续供应，数据将永久保持而无需像DRAM那样进行周期性刷新。这一特性不仅简化了系统设计，减少了外围控制电路的复杂度，也提高了数据存储的稳定性与安全性。其32K x 8位的存储组织方式提供了适中的存储容量，适用于中小规模数据缓冲、程序暂存或实时数据采集等应用场景。
　　再者，该器件具备良好的电气兼容性，所有输入输出引脚均支持TTL电平标准，可直接与多数传统微控制器、FPGA、DSP及逻辑门阵列无缝对接，无需额外的电平转换电路。这种即插即用的设计优势降低了开发难度和BOM成本。同时，CY7C261-20WC在抗噪能力和电磁兼容性方面表现优异，能够在工业环境中抵御一定程度的电压波动和外部干扰，确保系统稳定运行。
　　最后，该芯片提供多种封装选项，包括通孔安装的DIP和表面贴装的SOIC，适应不同PCB布局和生产工艺需求。尽管该型号已逐步进入生命周期后期阶段，但由于其成熟的技术和广泛的行业应用基础，仍在许多老旧系统维护、替代升级和特定工业项目中发挥重要作用。

CY7C261-20WC广泛应用于各类需要高速、可靠、非易失性无关但快速读写的存储场景中。典型应用领域包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器和人机界面设备，其中用于暂存运行参数、I/O映射表或实时采集的数据缓冲区。在通信设备中，该SRAM常被用作网络交换机、路由器或调制解调器中的帧缓存或协议处理临时存储单元，协助实现高效的数据包转发与处理。
　　此外，在测试与测量仪器领域，例如数字示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪中，CY7C261-20WC可用于高速采样数据的临时存储，配合ADC和处理器完成大数据量的实时捕获与回放功能。医疗电子设备中也有其身影，尤其是在需要快速响应和数据连续性的监护仪或成像系统模块中作为中间缓存使用。
　　由于其与多种微处理器架构的良好兼容性，该器件也被广泛用于嵌入式系统开发板、教学实验平台和原型验证系统中，帮助工程师进行软件调试和硬件功能验证。即使在当前新型低功耗LPDDR或QDR SRAM普及的趋势下，CY7C261-20WC因其稳定供货记录和成熟的替代方案支持，仍保留在一些长期服役设备的维护清单之中。

CY7C261-15WC
　　CY7C261-25WC
　　IS61C256AL-20L
　　AS6C62256-20SIN