制造商：Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
　　产品系列：CY7C245A
　　存储容量：256 Kbit
　　存储器类型：SRAM
　　存储器格式：32K x 8
　　访问时间：25 ns
　　工作电压：5 V ± 10%
　　工作电流：典型值 70 mA，最大值 90 mA
　　待机电流：最大 5 μA
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　封装类型：28-DIP (Dual In-line Package)
　　引脚数：28
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　数据保持电压：最小 2 V
　　数据保持时间：典型值 > 10 ms
　　片选信号：CE1, CE2 (其中 CE2 为高电平使能)
　　输出使能：OE (低电平有效)
　　写使能：WE (低电平有效)
　　刷新机制：无需刷新（静态 RAM 特性）

CY7C245A-25PC 具备多项关键特性，使其在异步 SRAM 器件中表现出色。首先，其 25 ns 的超快访问时间使得该芯片能够满足高速微处理器系统的数据缓存需求，尤其适用于需要频繁进行读写操作的应用环境。这种速度优势来源于其优化的 CMOS 设计架构，在保证低噪声和高稳定性的前提下实现了快速响应。
　　其次，该器件支持双片选控制（CE1 和 CE2），其中 CE1 为低电平有效，而 CE2 为高电平有效，这一互补式的片选逻辑极大增强了地址解码的灵活性，方便系统设计者在多存储体或内存扩展配置中实现精确的存储映射。当两个片选信号均未被激活时，器件会自动进入低功耗待机模式，显著降低空闲状态下的功耗，这对于节能型系统至关重要。
　　再者，CY7C245A-25PC 采用标准的字节宽 8 位并行接口，支持全功能三态输出，允许直接连接到数据总线上而不会造成总线争用问题。通过 OE 引脚控制输出使能，可在不进行读操作时将输出置于高阻态，进一步提升系统总线兼容性和稳定性。写操作由 WE 和 CE 同时控制，只有当这两个信号均为低电平时才会执行写入动作，确保数据写入的安全性和准确性。
　　此外，该芯片具备出色的抗干扰能力和温度稳定性，能够在 0°C 至 +70°C 的商业级温度范围内可靠运行，并且符合工业标准的电磁兼容性（EMC）要求。其塑料 DIP 封装不仅便于手工装配和调试，也支持波峰焊和回流焊等多种生产工艺，适用于中小批量生产和研发验证。虽然该器件已不再是最先进的 SRAM 解决方案，但由于其成熟的设计、广泛的资料支持和长期供货历史，仍然是许多存量项目维护和替代设计中的首选元件之一。

CY7C245A-25PC 广泛应用于多种需要高速、稳定、低延迟数据存储的电子系统中。其典型应用场景包括工业自动化控制系统，如 PLC（可编程逻辑控制器）中的程序缓冲区和中间数据暂存；在网络通信设备中，用于路由器、交换机的数据包缓存和协议处理单元的临时存储；在测试与测量仪器中，作为高速采集数据的临时缓冲器，以应对突发性的大数据量输入。
　　此外，该芯片也常见于嵌入式系统的主控模块中，配合微处理器或 DSP 使用，提供快速访问的运行内存空间，尤其是在没有集成大容量片上 RAM 的老式 MCU 架构中，外扩 CY7C245A-25PC 成为提升系统性能的有效手段。在消费类电子产品中，例如高端音频设备、医疗监测设备和 POS 终端等，它也被用于图形帧缓冲、配置参数存储和实时日志记录等功能。
　　由于其异步接口特性，CY7C245A-25PC 特别适合用于与传统并行总线架构的处理器（如 8051 衍生系列、ColdFire、某些 ARM7 微控制器等）搭配使用。在军事和航空航天领域的非极端环境下，该器件也有一定的应用基础，但通常需选用更宽温范围的工业或军用等级版本。目前，尽管越来越多的设计转向同步 SRAM 或 DDR 存储器，但在系统升级、备件替换和教学实验平台建设中，CY7C245A-25PC 依然发挥着重要作用。

CY7C245-25PC
　　CY7C245AL-25PC
　　IS61C256AH-25J
　　AS6C2568-25PCN1