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CY7C1665KV18-550BZXC 发布时间 时间:2025/11/3 18:51:32 查看 阅读:15

CY7C1665KV18-550BZXC是一款由Infineon Technologies(原Cypress Semiconductor)推出的高速、低功耗、双端口静态随机存取存储器(SRAM),属于其QDR? II+(Quad Data Rate II+)系列器件。该芯片专为高性能网络和通信应用中的数据缓冲和暂存需求而设计,支持高达550MHz的工作频率,提供卓越的数据吞吐能力。器件采用1.8V核心电压供电,符合现代高速逻辑电路对能效的要求,并具备先进的同步操作机制,能够在时钟上升沿和下降沿均进行数据传输,从而实现每个时钟周期四次数据访问的能力,显著提升带宽效率。CY7C1665KV18-550BZXC封装在小型化的BGA(Ball Grid Array)封装中,有助于节省PCB空间并优化高频信号完整性。该器件广泛应用于路由器、交换机、无线基站、测试设备以及需要高带宽共享内存架构的系统中。其内部结构包含独立的读写端口,允许两个独立的系统或处理器同时访问同一存储阵列而无需仲裁延迟,极大地提升了系统的并发处理能力和响应速度。此外,该芯片还集成了多种电源管理功能,包括可编程休眠模式和温度传感器输出,以支持动态功耗调节和热监控。所有输入/输出引脚均兼容差分HSTL(High-Speed Transceiver Logic)电平标准,确保在高速运行下仍能维持良好的噪声容限和信号完整性。

参数

器件型号:CY7C1665KV18-550BZXC
  制造商:Infineon Technologies
  产品系列:QDR II+ SRAM
  存储容量:36Mb(2M x 18位)
  工作电压:1.7V ~ 1.9V(核心),2.375V ~ 2.625V(VDDQ)
  最大访问时间:550MHz(对应周期约1.818ns)
  数据速率:1100 Mbps(每引脚)
  接口类型:同步双端口,分离式读/写数据总线
  I/O标准:差分HSTL
  封装类型:165-ball BGA(13x15mm)
  工作温度范围:商业级0°C 至 +70°C 或工业级-40°C 至 +85°C(依具体版本而定)
  端口配置:Port A 和 Port B 均支持独立地址、数据和控制线
  刷新需求:无(SRAM特性)
  时钟模式:双倍数据率(DDR)时钟输入(K/K#)
  数据宽度:x18位结构,支持字节屏蔽功能

特性

CY7C1665KV18-550BZXC具备多项先进特性,使其成为高端通信系统中理想的高速缓存解决方案。首先,其QDR II+架构实现了真正的分离读写端口设计,允许Port A执行写入操作的同时,Port B执行读取操作,反之亦然,完全避免了传统单端口或伪双端口SRAM中存在的访问冲突问题。这种全双工操作模式极大提升了多处理器或多任务环境下的数据吞吐效率。其次,该器件采用源同步时钟架构,即时钟信号随数据一起传输(K/K#为数据捕获时钟),有效解决了高速信号传输中的时序偏移(skew)问题,确保在1100Mbps的极端速率下依然保持可靠的数据采样。
  该芯片支持可编程输出驱动强度和片上终端电阻(ODT),可根据实际布线阻抗进行调节,从而优化信号反射和串扰,提升整体信号完整性。此外,它还具备温度传感器输出功能,能够实时监测芯片内部温度变化,并将信息反馈给外部控制器用于动态调整工作频率或进入低功耗模式,增强系统稳定性与可靠性。电源管理方面,支持深度睡眠模式(Deep Power-down Mode),在此模式下典型功耗可降至仅几毫瓦,非常适合间歇性工作的应用场景。
  为了适应复杂系统的集成需求,CY7C1665KV18-550BZXC提供了灵活的控制逻辑,包括 burst length control、pipeline depth selection 和 clock enable 功能,允许用户根据系统时序要求进行精细配置。所有输入信号均在时钟上升沿采样,而数据则在上升沿和下降沿连续传输,实现真正的四倍数据率性能。器件还具备优异的EMI抑制能力和高噪声 immunity,得益于其差分HSTL I/O设计,可在恶劣电磁环境中稳定运行。最后,该芯片经过严格的老化测试和可靠性验证,符合工业级甚至扩展工业级的应用标准,适用于长期连续运行的关键基础设施设备。

应用

CY7C1665KV18-550BZXC主要用于需要极高带宽和低延迟的通信与网络设备中。典型应用包括核心路由器和多层交换机中的报文缓冲区管理,其中多个数据流需同时访问共享内存以完成路由查找、队列调度和流量整形等操作。在无线通信基础设施中,如4G LTE和5G基站的基带处理单元,该芯片可用于前传(fronthaul)和中传(midhaul)数据的临时存储与转发,保障高密度用户连接下的实时性要求。测试与测量仪器,如高速逻辑分析仪、协议分析仪和矢量网络分析仪,也常采用此类QDR SRAM作为采样数据的暂存缓冲,以应对突发性的大数据量采集需求。
  在高端服务器和存储系统中,该器件可用于构建高性能DMA引擎或I/O协处理器的本地内存池,加速数据搬运和预处理过程。军事与航空航天领域中,雷达信号处理、电子战系统和卫星通信终端同样依赖于这类高速双端口存储器来实现多通道并行数据流的同步处理。此外,在FPGA加速卡或ASIC验证平台中,CY7C1665KV18-550BZXC可作为调试接口的共享内存区域,便于主控CPU与FPGA之间高效交换状态信息和调试数据。由于其低延迟特性和确定性访问行为,也非常适合用于实时操作系统(RTOS)中的关键任务数据缓冲,例如工业自动化控制系统中的运动轨迹插补计算缓存。总之,凡是涉及高速、双向、并发数据流处理的应用场景,都是该芯片的理想用武之地。

替代型号

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CY7C1665KV18-550BZXC参数

  • 数据列表CY7C166(3,5)KV18
  • 标准包装105
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 同步,QDR II+
  • 存储容量144M(4M x 36)
  • 速度550MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳165-LBGA
  • 供应商设备封装165-FBGA(15x17)
  • 包装托盘