时间：2025/4/28 19:01:33
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FEMDNN128G-A3A44 是一款高性能、低功耗的 NAND 闪存芯片，主要应用于消费类电子产品和嵌入式系统。该芯片采用了先进的存储技术，提供大容量数据存储能力，并具有快速读写速度和高可靠性。
这款 NAND 闪存芯片适合需要高密度存储的应用场景，例如固态硬盘（SSD）、U 盘、记忆卡以及各类工业和消费级电子设备。
存储容量：128GB
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压：1.8V
页大小：16KB
块大小：512MB
擦除时间：2ms（典型值）
编程时间：700μs（典型值）
读取时间：50μs（典型值）
数据保留时间：10年（在25°C条件下）
ECC要求：每1KB最多可纠正40位错误
FEMDNN128G-A3A44 具有以下关键特性：
1. 大容量存储：提供128GB的存储空间，满足现代应用对高密度存储的需求。
2. 高性能：采用Toggle Mode 2.0接口，实现更快的数据传输速率。
3. 低功耗设计：优化了芯片的工作模式，降低整体功耗，延长电池寿命。
4. 高可靠性：具备强大的ECC纠错能力，确保数据完整性。
5. 小型化封装：采用紧凑型封装技术，节省PCB空间。
6. 广泛的工作温度范围：支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），适应多种环境条件。
FEMDNN128G-A3A44 可广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：
提供高效的数据存储解决方案，适用于台式机、笔记本电脑和其他计算设备。
2. U盘与记忆卡：
为便携式存储设备提供可靠的存储介质。
3. 工业控制：
在工业自动化和监控系统中用于存储程序和数据。
4. 消费类电子产品：
如数码相机、摄像机等设备中的数据存储。
5. 嵌入式系统：
在汽车电子、智能家居等领域中作为主存储器使用。
FEMDNN64G-A3A44
FEMDNN256G-A3A44
