时间：2025/11/3 15:10:05
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CY7C1570KV18-550BZXC 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于 QDR? II+（Quad Data Rate II+）系列。该器件专为高性能网络和通信应用设计，支持高达 550 MHz 的工作频率，提供卓越的数据吞吐能力。其采用先进的 CMOS 工艺制造，具备高可靠性和稳定性，适用于需要高带宽、低延迟数据交换的应用场景。该芯片封装形式为 BGA，尺寸紧凑，适合在空间受限的高密度 PCB 设计中使用。CY7C1570KV18-550BZXC 支持 x18 位宽的数据接口，具备独立的读写端口，允许两个端口同时进行高速数据访问，从而显著提升系统并行处理能力。此外，该器件还集成了多种电源管理功能，包括低功耗待机模式和可编程驱动强度，有助于降低整体系统功耗。广泛应用于路由器、交换机、无线基站、数字视频设备以及测试测量仪器等高端电子系统中。
制造商：Infineon Technologies
系列：QDR? II+
产品类型：双端口 SRAM
存储容量：18 Mbit (1M x 18)
数据速率：550 MHz
接口类型：QDR II+
供电电压：1.8V ±5%
工作温度范围：0°C 至 +70°C
封装类型：FBGA
引脚数：165
数据总线宽度：18 位
时钟频率：最高 550 MHz
访问时间：约 1.8 ns
输入/输出逻辑标准：SSTL_18
CY7C1570KV18-550BZXC 具备多项先进特性，使其成为高性能通信系统中的理想选择。首先，其 QDR II+ 架构支持四倍数据速率传输，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均可进行数据传输，并通过分离的读写数据总线实现真正的无竞争突发访问，极大提升了数据吞吐效率。该器件采用 1.8V 单电源供电，符合现代低电压系统的设计趋势，有效降低功耗并减少热损耗。其内部结构为 1M x 18 配置，提供 18 Mbit 的总存储容量，适合需要高带宽且数据宽度适中的应用场景。
其次，该芯片具备出色的信号完整性设计，支持可编程输出驱动强度和片上终端匹配（On-Die Termination, ODT），能够有效减少反射和串扰，提高高速信号传输的稳定性。此外，器件内置差分时钟输入（K/K#），增强了抗噪声能力和时序精度，确保在高频下仍能保持可靠的同步操作。所有输入输出引脚均兼容 SSTL_18 电平标准，便于与 FPGA、ASIC 等主控芯片无缝对接。
再者，CY7C1570KV18-550BZXC 支持多种低功耗模式，包括自动低功耗待机模式和深度掉电模式，可根据系统需求动态调节能耗，延长设备运行时间并满足绿色能源规范。其 FBGA-165 封装具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级环境下的长期运行。器件还具备高可靠性设计，经过严格的老化测试和 ESD 防护设计，可在复杂电磁环境中稳定工作。最后，该芯片支持工业标准引脚排列，简化了 PCB 布局布线，降低了设计难度和开发周期，是构建高端网络基础设施的核心存储组件之一。
CY7C1570KV18-550BZXC 主要应用于对带宽和延迟有极高要求的通信与网络设备中。典型应用包括千兆以太网和万兆以太网交换机、核心路由器、光传输网络（OTN）设备、无线基站（如 4G LTE 和 5G NR 基站）、网络接口卡（NIC）以及多业务接入平台。在这些系统中，该芯片用于缓存高速数据包、队列管理、流量整形和协议转换等关键任务，确保数据流的高效调度与转发。
此外，它也广泛用于数字视频广播设备、高清视频处理系统和专业音视频切换矩阵中，作为帧缓冲或临时数据暂存单元，支持高分辨率视频流的实时处理。在测试与测量仪器领域，如高速逻辑分析仪、协议分析仪和示波器中，该芯片可用于高速采样数据的临时存储，保障数据采集的连续性和完整性。
由于其高可靠性和宽温工作能力，该器件还可用于工业自动化控制系统、航空航天电子系统以及军事通信设备中，承担关键数据交换任务。配合 FPGA 或专用网络处理器使用时，能够充分发挥其双端口并行访问优势，实现复杂的并行算法加速和状态共享机制。总之，凡是需要高吞吐、低延迟、高可靠双端口存储架构的场合，CY7C1570KV18-550BZXC 都是一个极具竞争力的选择。
CY7C1560KV18-550BZXC
