时间：2025/11/3 22:54:30
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CY7C15632KV18-450BZXI 是 Cypress Semiconductor（现为 Infineon Technologies 的一部分）生产的一款高速、低功耗的 3.3V QDR? II+ SRAM 存储器芯片。该器件属于四倍数据速率（QDR）系列，专为高性能网络和电信应用中的缓冲和缓存需求而设计。其采用先进的 CMOS 工艺制造，支持在单个时钟周期内同时进行读写操作，从而实现极高的吞吐量。该器件具有 36Mb 的存储容量，组织结构为 2M x 18 位，适合需要高带宽数据传输的应用场景。封装形式为 165-ball Fine-Pitch Ball Grid Array (FBGA)，具备良好的电气性能和散热特性，适用于紧凑型高密度 PCB 设计。
CY7C15632KV18-450BZXI 支持差分时钟输入（K 和 K?），数据在时钟的上升沿和下降沿均被采样，实现四倍数据速率传输。它还支持可编程阻抗匹配（ZQ 校准）、差分数据选通（DQS/DQSB）以及中心对齐的源同步时序架构，确保在高频下可靠的数据捕获。该器件工作温度范围为工业级（-40°C 至 +85°C），满足严苛环境下的稳定运行要求。此外，该芯片符合 RoHS 环保标准，并采用无铅封装工艺，适用于现代绿色电子产品设计。
制造商：Infineon Technologies
产品系列：QDR? II+
存储容量：36 Mb
组织结构：2M x 18
工作电压：3.3V
访问时间：450 ps
最大工作频率：约 550 MHz
接口类型：并行，QDR
数据速率：1100 Mbps per pin
时钟类型：Differential (K, K?)
数据选通：DQS/DQSB (Differential)
输入/输出逻辑：HSTL Class I
封装类型：165-ball FBGA (11x15 mm)
工作温度范围：-40°C to +85°C
特性：Flow-through Read, Pipelined Write, ZQ Calibration, DLL Bypass Mode
CY7C15632KV18-450BZXI 具备多项先进特性，使其成为高性能通信系统中理想的数据缓冲解决方案。首先，其四倍数据速率（QDR）架构允许在同一个时钟周期内完成一次读操作和一次写操作，显著提升了总线利用率和系统带宽效率。这种异步读写能力特别适用于交换机、路由器等需要持续数据流处理的应用。其次，该器件采用了 HSTL（High-Speed Transceiver Logic）I 类接口标准，提供优良的噪声抑制能力和信号完整性，支持高频下稳定的数据传输。差分时钟（K/K?）和差分数据选通（DQS/DQSB）机制进一步增强了抗干扰能力，并实现精确的源同步时序控制，使控制器能够准确地锁存高速数据。
该芯片支持可编程 ZQ 阻抗校准功能，可通过外部参考电阻动态调整输出驱动强度和片上终端匹配，以补偿由于温度和电压变化引起的阻抗漂移，从而优化信号反射和串扰问题。此外，内置延迟锁定环（DLL）用于将内部时钟与外部时钟对齐，提升时序精度；同时提供 DLL 旁路模式，用于低频或测试场景下的灵活配置。器件还支持流水线写入和直通式读取两种操作模式，用户可根据系统需求选择最优的工作方式。为了降低功耗，芯片集成了部分阵列自刷新、深度掉电模式等多种节能机制，在空闲状态下可大幅减少静态电流消耗。整体设计兼顾速度、功耗与可靠性，适合部署在高端网络处理器、光传输设备、无线基站和测试仪器等关键领域。
CY7C15632KV18-450BZXI 主要应用于对带宽和延迟有极高要求的通信基础设施设备中。典型应用场景包括核心路由器、多业务边缘交换机、光纤通道系统、SONET/SDH 网络设备以及 4G/5G 无线基站的基带处理单元。在这些系统中，该 QDR SRAM 常被用作高速数据包缓冲区、查找表缓存、DMA 队列存储或实时信号处理中间结果暂存。其高吞吐量特性使其能有效支撑线速转发和深度报文检测等复杂任务。此外，该器件也广泛用于高性能计算平台、网络测试仪、协议分析仪和雷达信号处理系统中，作为临时高速存储单元来应对突发性大数据流量。由于其支持工业级温度范围和高可靠性设计，亦可用于恶劣环境下的工业自动化控制系统和航空航天电子设备中的关键缓存模块。随着数据中心和云计算基础设施的发展，该类 QDR 存储器仍在某些特定高性能接口场景中保持不可替代的地位。
CY7C15632KV18-450BZXC
CY7C15632KV18-550BZXI
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