容量：3.6 Mbit
　　组织结构：256K × 18
　　电源电压：1.8V（±0.15V）
　　最大访问时间：250 ps
　　工作频率：高达 500 MHz
　　数据速率：1000 Mbps（DDR）
　　输入/输出逻辑标准：HSTL（High-Speed Transceiver Logic）
　　封装类型：165-ball BGA（0.8 mm 球距）
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　引脚数量：165
　　制造工艺：CMOS
　　时钟类型：差分（K/K#）
　　读写独立性：支持同时读写
　　数据宽度：18 位（x18）
　　刷新机制：无需刷新（SRAM 特性）

CY7C1525KV18-250BZXI 具备多项先进特性，使其成为高端通信与网络系统中的理想选择。首先，其 QDR II+ 架构实现了真正的单周期读写并发操作，通过分离的数据总线（Q bus 用于读取，D bus 用于写入）和独立的地址路径，避免了传统 RAM 中因读写冲突导致的等待周期，极大提升了系统效率。这种架构特别适用于交换机、路由器中数据包缓存、队列管理等实时性要求极高的场合。
　　其次，该器件支持双倍数据速率（DDR）传输，即在时钟信号的上升沿和下降沿都进行数据采样或驱动，使得在相同频率下数据传输率翻倍。结合高达 500 MHz 的工作频率，可实现每秒 1 GigaTransfer 的数据速率，满足高速串行链路与处理器之间的桥接需求。
　　再者，器件采用 HSTL I/O 标准，具有较低的电压摆幅（约 1.0V）、良好的噪声抗扰性和快速切换能力，有助于在高频下维持信号完整性。同时，HSTL 支持点对点连接和短距离多负载拓扑，便于系统布局。
　　此外，CY7C1525KV18-250BZXI 内部集成了可编程驱动强度控制、片上终端电阻（ODT）和延迟锁定环（DLL）电路，用以优化时序匹配、减少反射和抖动，确保在高速运行下的稳定性。电源方面，采用 1.8V 单电源供电，降低了整体功耗并简化了电源设计，相比早期 3.3V 或 2.5V 的 SRAM 更具能效优势。
　　最后，该芯片具备优异的热性能和机械可靠性，BGA 封装提供良好散热路径，并通过 JEDEC 认证测试，保证在工业级温度范围内长期稳定运行。内置故障保护机制和严格的制造工艺控制也增强了其在关键任务系统中的可信度。

CY7C1525KV18-250BZXI 主要应用于需要极高带宽和确定性延迟的高性能系统中。典型应用场景包括电信基础设施设备如核心路由器、边缘交换机和光传输设备，其中它被广泛用于实现 FIFO 缓冲、报文队列管理和流量调度功能。在网络处理器与物理层芯片之间，该器件常作为共享内存池，承担突发数据的临时存储与转发任务，确保数据流平滑且不丢失。
　　在无线基站系统中，特别是在 4G LTE 和 5G NR 的基带处理单元中，CY7C1525KV18-250BZXI 可用于信道编码解码过程中的中间结果暂存、FFT/IFFT 运算的数据缓冲，以及多天线 MIMO 处理过程中的矩阵运算辅助存储。由于其低延迟特性，能够有效支撑实时信号处理流程。
　　此外，该芯片也适用于测试测量仪器、高端 FPGA 加速卡、雷达信号处理系统和高性能计算模块。在这些领域，当主处理器或 ASIC 需要频繁访问小块但高频率的数据时，QDR II+ SRAM 提供了一种比 DRAM 更快、比寄存器文件更灵活的解决方案。
　　随着数据中心对带宽需求持续增长，此类高速 SRAM 也被用于智能网卡（SmartNIC）、DPU（Data Processing Unit）和 Tofino 类可编程交换芯片的配套存储架构中，协助实现精确时间戳、流表查找加速和加密上下文缓存等功能。其可靠的性能表现使其成为现代高速数字系统不可或缺的关键组件之一。

CY7C1525KV18-250BZXC
　　CY7C1525KV18-250BZXB
　　CY7C1545KV18-250BZXC