CY7C1510V18是Cypress Semiconductor公司生产的静态随机存取存储器(SRAM),属于低功耗、高速CMOS SRAM系列。该芯片具有16K x 9的存储容量,支持快速数据访问和低功耗操作,适用于需要高性能和高可靠性的应用场合。
该器件采用标准CMOS工艺制造,具备优异的抗噪性能和低功耗特性,能够在较宽的电压范围内稳定工作。其高速读写能力使其非常适合用于缓冲、高速缓存以及需要频繁数据交换的系统中。
存储容量:16K x 9位
数据宽度:9位
工作电压:1.7V 至 1.9V
访问时间:10ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TQFP
引脚数:48
典型功耗:200mW
1. 高速读写能力,访问时间仅为10ns,确保了系统的实时响应性能。
2. 低功耗设计,在1.8V的工作电压下能够显著降低系统的能源消耗。
3. 具备自动功率节省模式,当设备处于空闲状态时可进一步降低功耗。
4. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
5. CMOS工艺制造,提供了更高的可靠性和抗干扰能力。
6. 支持硬件和软件两种方式控制,灵活满足不同应用场景的需求。
7. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
CY7C1510V18广泛应用于需要高性能和低功耗存储的领域,包括但不限于:
1. 网络通信设备中的数据缓冲和临时存储。
2. 工业控制系统的高速缓存模块。
3. 医疗设备中的实时数据采集与处理。
4. 嵌入式系统中的程序运行空间扩展。
5. 图形处理单元中的帧缓冲存储。
6. 高速数据采集系统中的临时数据存储区域。
CY7C1510A18, CY7C1510B18, IS61LV10249