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CY7C1510V18 发布时间 时间:2025/7/16 10:52:31 查看 阅读:7

CY7C1510V18是Cypress Semiconductor公司生产的静态随机存取存储器(SRAM),属于低功耗、高速CMOS SRAM系列。该芯片具有16K x 9的存储容量,支持快速数据访问和低功耗操作,适用于需要高性能和高可靠性的应用场合。
  该器件采用标准CMOS工艺制造,具备优异的抗噪性能和低功耗特性,能够在较宽的电压范围内稳定工作。其高速读写能力使其非常适合用于缓冲、高速缓存以及需要频繁数据交换的系统中。

参数

存储容量:16K x 9位
  数据宽度:9位
  工作电压:1.7V 至 1.9V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TQFP
  引脚数:48
  典型功耗:200mW

特性

1. 高速读写能力,访问时间仅为10ns,确保了系统的实时响应性能。
  2. 低功耗设计,在1.8V的工作电压下能够显著降低系统的能源消耗。
  3. 具备自动功率节省模式,当设备处于空闲状态时可进一步降低功耗。
  4. 宽工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
  5. CMOS工艺制造,提供了更高的可靠性和抗干扰能力。
  6. 支持硬件和软件两种方式控制,灵活满足不同应用场景的需求。
  7. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。

应用

CY7C1510V18广泛应用于需要高性能和低功耗存储的领域,包括但不限于:
  1. 网络通信设备中的数据缓冲和临时存储。
  2. 工业控制系统的高速缓存模块。
  3. 医疗设备中的实时数据采集与处理。
  4. 嵌入式系统中的程序运行空间扩展。
  5. 图形处理单元中的帧缓冲存储。
  6. 高速数据采集系统中的临时数据存储区域。

替代型号

CY7C1510A18, CY7C1510B18, IS61LV10249

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