制造商：Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
　　产品系列：CY7C1360C
　　存储器类型：Synchronous Burst SRAM
　　存储器格式：4M × 36
　　数据总线宽度：36 位
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装/外壳：165-BGA
　　访问时间：5ns (对应 200MHz)
　　时钟频率：最高 200MHz
　　接口类型：并行，同步
　　写入模式：突发写入
　　控制信号：CLK, CE#, WE#, OE#, ADV#/ADSC#, ADSP#, ADSC#
　　组织结构：2M words × 36 bits
　　定时模式：流水线（Pipelined）
　　引脚数：165
　　安装类型：表面贴装（SMD）

CY7C1360C-200AXC具备多项关键特性，使其在高速同步SRAM市场中占据重要地位。首先，它采用了全同步设计，所有输入均在时钟上升沿被锁存，确保了精确的时序控制和系统的稳定性。其流水线架构允许在一个时钟周期内启动新的访问操作，即使前一次操作尚未完成，也能持续高效地处理连续的数据流，从而大幅提升整体吞吐量。该器件支持突发递增模式，用户只需提供起始地址，后续地址将自动按顺序递增，每个突发可支持长度为1、2、4或整段（Wrap）模式，极大简化了控制器的设计复杂度，并提高了数据传输效率。
　　其次，CY7C1360C-200AXC集成了多种电源管理功能。在片选使能无效（CE# = HIGH）时，器件自动进入低功耗待机状态，核心电路停止工作，仅维持基本偏置，有效降低静态功耗。同时，其CMOS工艺保证了较低的动态功耗，尤其在高频运行下仍保持良好的能效比，适合对热设计功率（TDP）敏感的应用环境。此外，该SRAM支持全局写使能（Global Write Enable）和独立的高低字节写使能控制，提供了灵活的数据写入方式，增强了与其他逻辑器件的兼容性。
　　再者，该芯片具有出色的抗干扰能力和信号完整性设计。其输出驱动采用可配置的摆率控制技术，减少开关噪声和EMI辐射，提升系统电磁兼容性。所有输入端口均内置施密特触发器和上拉/下拉电阻选项，增强对噪声的容忍度。此外，器件支持双时钟源控制信号（ADV#/ADSC# 和 ADSP#），可用于多主控或多总线系统中的地址同步切换，提高系统架构的灵活性。最后，CY7C1360C系列经过严格的工业级测试和可靠性验证，具备高MTBF（平均无故障时间），可在严苛环境下长期稳定运行，满足通信基础设施和工业自动化等高端应用的需求。

CY7C1360C-200AXC主要用于需要高带宽、低延迟和可靠性的实时数据处理系统中。典型应用场景包括宽带通信设备中的线路卡缓存、路由器和交换机的数据包缓冲区、ATM信元处理引擎、DSLAM集中器以及SONET/SDH传输设备。在这些系统中，该SRAM常作为FPGA或专用网络处理器（NPU）的外部高速缓存，用于暂存正在转发的数据帧或报文头部信息，以缓解主处理器的压力并提升整体转发速率。
　　此外，该器件也广泛应用于测试与测量仪器、雷达信号处理系统、视频广播设备和高性能工业控制器等领域。例如，在数字示波器或逻辑分析仪中，CY7C1360C可用于高速采集数据的临时存储；在视频矩阵切换器中，则可用于像素数据的缓冲与重排。由于其36位宽的数据总线，特别适合处理带有校验位或ECC扩展的数据流，因此也可用于构建具备错误检测能力的容错系统。
　　在军事和航空航天领域，尽管该型号本身未标定为军温级，但其高可靠性和成熟的设计使其在部分民用航空电子系统或地面站设备中也有应用。配合合适的PCB布局和散热设计，该芯片能够胜任长时间连续运行的任务负载，是构建高性能嵌入式系统的理想选择之一。

CY7C1365C-200AXC
　　CY7C1362C-200AXC
　　IS61WFV102436-200BLI