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PDTB113ET,215 发布时间 时间:2025/9/14 1:45:24 查看 阅读:11

PDTB113ET,215 是一款由Nexperia(安世半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件采用SOT-23(TO-236AB)封装,适用于通用开关和放大应用。PDTB113ET,215 是一款低成本、高性能的晶体管,广泛用于消费类电子产品、工业控制、通信设备和汽车电子系统中。

参数

晶体管类型:PNP
  集电极-发射极电压(VCEO):-80V
  集电极-基极电压(VCBO):-100V
  发射极-基极电压(VEBO):-5V
  集电极电流(IC):-100mA
  功率耗散(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(TO-236AB)

特性

PDTB113ET,215 具有良好的热稳定性和高可靠性,适合在各种电子电路中使用。
  该晶体管具有较高的电流增益(hFE),能够在低电流条件下保持良好的放大性能,适用于小信号放大和高速开关应用。
  其SOT-23封装体积小,便于在高密度PCB设计中使用,同时具有良好的散热性能。
  该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。
  此外,PDTB113ET,215 的电气特性在宽温度范围内保持稳定,使其在汽车电子和工业控制等苛刻环境中表现出色。

应用

PDTB113ET,215 常用于以下应用场景:
  在消费类电子产品中作为小信号放大器或逻辑电路中的开关元件。
  在工业控制系统中用于驱动继电器、LED指示灯和小型电机。
  在通信设备中作为射频信号放大器或调制解调电路中的关键组件。
  在汽车电子系统中用于传感器信号调理、车载娱乐系统和车身控制模块。
  此外,它也可用于电源管理电路、电池充电器和DC-DC转换器中的开关控制。

替代型号

BC807-25, MBT2907ALT1G, 2N3906, PDTB113ET,115

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PDTB113ET,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)1k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)1k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)33 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058978215PDTB113ET T/RPDTB113ET T/R-ND