制造商：Infineon Technologies (原 Cypress)
　　产品系列：CY7C135x
　　存储容量：9,437,184 位
　　存储结构：512K × 18 / 256K × 36
　　电压 - 供电：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：200ps
　　工作温度范围：0°C ~ 70°C
　　封装/外壳：100-TQFP
　　引脚数：100
　　接口类型：并行
　　读取电流：典型值 180mA
　　待机电流：最大值 50μA
　　时序类型：异步
　　字长：18 位或 36 位模式可配置
　　端口类型：双异步端口
　　控制信号：片选（CE）、输出使能（OE）、写使能（WE）、字节写使能（BW/BUB 和 BW/BLB）
　　封装类型：无铅薄型四边扁平封装（TQFP）
　　JEDEC 标准：符合 JESD-30 和 JESD-22 可靠性测试规范

CY7C1354C-200BGXC 具备真正的双端口静态 RAM 架构，允许两个独立的系统或处理器通过各自的端口同时访问同一块存储区域，极大地提升了多处理器系统中的数据共享效率。每个端口都配备了完整的地址、数据和控制总线，支持全双工操作，无需额外的仲裁逻辑即可实现无缝并发读写。该器件支持两种工作模式：512K × 18 模式适用于需要较大数据宽度但地址空间适中的应用，而 256K × 36 模式则提供更高的数据吞吐能力，适合处理 32 位或更宽的数据总线系统。这种灵活性使得 CY7C1354C 能够适应多种系统架构需求。
　　该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，显著降低了动态和静态功耗，尤其在待机状态下电流消耗极低，有助于延长系统运行时间和减少散热设计压力。其高速访问时间为 200ps，支持最高达 50MHz 的操作频率，确保在高带宽通信系统中实现快速响应和低延迟数据传输。器件内置字节写使能功能，允许用户单独控制高位字节（Upper Byte）和低位字节（Lower Byte）的写入操作，增强了数据写入的精确性和安全性。
　　CY7C1354C-200BGXC 提供了完整的片选（Chip Enable）、输出使能（Output Enable）和写使能（Write Enable）控制信号，便于与其他逻辑电路集成，并可通过级联多个器件来扩展存储容量或数据宽度。所有输入均兼容 TTL 电平，简化了与传统控制器的接口设计。该器件还具备优异的抗噪能力和稳定性，经过严格的 JEDEC 标准测试认证，可在工业级环境条件下长期可靠运行。此外，其无铅封装符合 RoHS 指令要求，适用于环保型电子产品制造。
　　为了进一步提升系统可靠性，CY7C1354C 支持中断和标志信号机制，可用于通知另一端口正在进行关键操作或资源占用状态，避免数据冲突。这些硬件级别的通信机制减少了软件开销，提高了系统实时性能。总体而言，CY7C1354C-200BGXC 凭借其高性能、低功耗、灵活配置和高可靠性，成为高端通信、网络和工业控制领域中理想的双端口 SRAM 解决方案。

CY7C1354C-200BGXC 广泛应用于需要高速数据缓冲和双处理器间共享内存的系统中。典型应用场景包括电信交换设备、网络路由器与交换机、数据采集系统、雷达信号处理平台、工业自动化控制器以及多核嵌入式系统。在通信基础设施中，它常被用作协议转换器或帧缓冲器，实现不同速率数据流之间的平滑对接。在工业控制领域，该器件可用于协调主控单元与从属 DSP 或 FPGA 之间的数据交互，提升系统整体响应速度。此外，因其高可靠性和稳定的电气特性，也适用于医疗成像设备和测试测量仪器中的临时数据存储模块。

CY7C1354C-200BGI
　　CY7C1354C-200AXC
　　CY7C1354C-200AXI
　　CY7C1356C-200BGXC