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CY7C1314KV18-250BZXC 发布时间 时间:2025/11/4 5:57:16 查看 阅读:11

CY7C1314KV18-250BZXC是赛普拉斯(Cypress)公司生产的一款高速、低功耗的双端口静态随机存取存储器(SRAM),属于其异步双端口SRAM产品系列。该器件专为需要高带宽、低延迟数据交换的应用而设计,具备两个独立的数据访问端口,允许两个系统或处理器同时访问同一存储阵列而无需复杂的仲裁机制。器件采用先进的CMOS工艺制造,确保在高性能运行的同时保持较低的动态和静态功耗,适用于对功耗敏感的工业、通信和网络设备。
  CY7C1314KV18-250BZXC支持18位数据宽度(x18配置),存储容量为256K x 18(总计约4.6Mbit),组织形式灵活,适合处理并行数据流。其工作电压为1.8V,符合现代低电压系统的设计需求,并具备三态输出功能,便于总线隔离与多设备共享。封装形式为165-ball fine-pitch BGA(0.8mm pitch),适用于高密度PCB布局,常见于路由器、交换机、测试设备及实时控制系统中。该芯片还集成了片选、输出使能和写使能等标准控制信号,简化了系统接口设计。

参数

型号:CY7C1314KV18-250BZXC
  制造商:Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
  产品类别:双端口 SRAM
  存储容量:256K x 18
  位宽:18-bit
  工作电压:1.7V ~ 1.9V
  最大访问时间:250ps
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:165-ball BGA (15x15 mm, 0.8mm pitch)
  接口类型:异步
  端口类型:双端口(Port A 和 Port B 独立)
  读写模式:异步读/写操作
  电源电压(VDD):1.8V ±5%
  输入/输出电压兼容性:1.8V LVCMOS
  最大工作频率:典型应用中支持高达 167MHz 的数据传输速率
  功耗特性:低静态电流,动态功耗随使用情况变化
  控制信号:CE(Chip Enable)、OE(Output Enable)、WE(Write Enable)、SEM(Semaphore)等
  特殊功能:硬件邮箱中断、旗语(Semaphore)资源竞争管理、全局复位(RS)

特性

CY7C1314KV18-250BZXC具备出色的双端口并发访问能力,允许两个独立的主机或处理器同时对同一存储体进行读写操作,极大提升了系统的数据吞吐效率。每个端口都配备了完整的地址、数据和控制总线,支持完全异步的操作模式,无需外部时钟同步即可实现灵活的系统集成。器件内部集成了旗语(Semaphore)模块,用于解决两个端口之间对共享资源的访问冲突问题,通过硬件机制实现互斥锁功能,避免软件轮询带来的延迟与不确定性,显著提高系统可靠性。
  该芯片还配备了一个“邮箱”通信结构,允许一个端口向另一个端口发送中断通知或短消息,从而实现高效的进程间通信(IPC)。这种机制特别适用于多处理器系统中的任务协调与状态同步。所有输入输出引脚均符合1.8V LVCMOS电平标准,具备良好的信号完整性与抗干扰能力,并支持三态输出,便于在复杂系统中实现总线共享与隔离。
  得益于先进的CMOS工艺,CY7C1314KV18-250BZXC在保持高速性能的同时实现了极低的功耗表现。其待机模式下的静态电流非常小,适合长时间运行的嵌入式系统。此外,该器件支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),可在恶劣环境下稳定工作,广泛应用于通信基础设施、工业自动化和高端测试仪器等领域。封装采用小型化BGA设计,节省PCB空间,但对焊接工艺和PCB布线提出了较高要求,推荐使用无铅回流焊工艺以确保长期可靠性。

应用

CY7C1314KV18-250BZXC广泛应用于需要高速数据共享和低延迟通信的双处理器或多系统架构中。典型应用场景包括网络设备如路由器、交换机和防火墙,其中主控CPU与网络协处理器之间需频繁交换控制信息和状态数据,该双端口SRAM可作为两者之间的高效缓冲区。在电信基础设施中,它被用于基站控制器与数字信号处理器之间的数据中继,支持实时信令处理与配置更新。
  工业自动化领域中,该器件常用于PLC(可编程逻辑控制器)与HMI(人机界面)之间或多个运动控制器之间的数据交互,保障关键控制指令的及时传递。测试与测量设备如逻辑分析仪、示波器也利用其双端口特性实现采集单元与显示处理单元的并行访问,提升整体响应速度。
  此外,在军事与航空航天电子系统中,由于其高可靠性和确定性的访问机制,CY7C1314KV18-250BZXC可用于雷达信号处理、飞行控制计算机间的冗余数据同步。医疗成像设备中,也可作为图像采集前端与后端处理模块之间的临时帧缓存。总之,任何需要两个独立系统安全、高效共享内存的应用场景,都是该器件的理想选择。

替代型号

CY7C1314KV18-250BZXI
  CY7C1315KV18-250BZXC
  CY7C1316KV18-250BZXC

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CY7C1314KV18-250BZXC参数

  • 数据列表CY7C(131x,1910)KV18
  • 标准包装136
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 同步,QDR II
  • 存储容量18M(512K x 36)
  • 速度250MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳165-LBGA
  • 供应商设备封装165-FBGA(13x15)
  • 包装托盘