时间：2025/9/14 18:51:30
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BUK969R0-60E,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，适用于各种电源管理和功率转换应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 VDS：60 V
最大漏极电流 ID：200 A（在 25°C 下）
导通电阻 RDS(on)：0.9 mΩ（最大值，典型值 0.7 mΩ）
栅极阈值电压 VGS(th)：2.5 V（典型值）
最大功耗 PD：300 W
封装形式：PowerSO-10
BUK969R0-60E,118 采用先进的 Trench 技术，确保了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件具有优异的热性能，能够在高电流条件下稳定工作。此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在高应力环境下的可靠性。其封装设计（PowerSO-10）提供了良好的电气连接和散热能力，适合在高功率密度设计中使用。
这款 MOSFET 还具备快速开关能力，适用于高频应用，如 DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等。其栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的工作电压，兼容多种驱动电路设计。
BUK969R0-60E,118 广泛应用于电源管理、汽车电子、工业自动化、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路以及高功率负载开关等场景。由于其高效率和高可靠性，特别适合用于要求高电流承载能力和低损耗的系统中。
IPB015N06N3 G, IRF1324S-7PPBF, BSC028N06NS5, BUK969R0-60E
