制造商：Infineon Technologies
　　系列：QDR? II+
　　存储容量：144 Mbit
　　存储器类型：SRAM
　　组织结构：2M x 72
　　工作电压：1.8V ±0.15V
　　最大访问时间：450 ps
　　clock频率：450 MHz
　　数据速率：900 Mbps（双倍数据速率）
　　接口类型：并行同步
　　读写模式：四倍数据速率（QDR）
　　输入/输出电压：1.8V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　封装类型：165-ball FBGA
　　引脚数：165
　　封装尺寸：13 x 15 mm
　　每字宽度：72位
　　是否支持字节掩码：是
　　是否为铅-free：是
　　是否符合RoHS：是

CY7C1268KV18-450BZXC作为QDR? II+架构的高性能SRAM，具备多项先进特性以满足高端通信与网络设备的需求。其核心优势在于真正的四倍数据速率（Quad Data Rate, QDR）架构，能够在时钟的上升沿和下降沿分别传输地址/命令和数据，实现读写操作完全分离，从而消除传统单端口或双数据速率SRAM中的总线争用问题，极大提升了数据吞吐效率。该器件支持高达900 Mbps的数据传输速率，在450 MHz时钟频率下仍能保持稳定运行，确保系统在高负载条件下依然响应迅速。
　　为了适应不同系统设计需求，CY7C1268KV18-450BZXC提供了灵活的配置选项，包括可编程突发长度、CAS延迟和预充电机制，允许用户根据实际应用场景优化性能与功耗之间的平衡。内置的字节使能（Byte Enable）功能支持精细的数据写入控制，仅更新指定字节而不影响其他数据位，有效减少不必要的写入操作，降低功耗并提高可靠性。此外，该芯片采用低电压差分信号（LVDS）兼容的I/O接口，具有出色的抗噪声能力和信号完整性，适用于长距离布线或多板互连场景。
　　在电源管理方面，该器件集成了多种节能模式，如部分阵列自刷新和深度掉电模式，可在系统空闲时自动进入低功耗状态，显著延长设备使用寿命并减少散热压力。其1.8V核心电压设计不仅降低了整体功耗，还提高了与其他现代低电压逻辑器件的兼容性。165-ball FBGA封装提供了优良的热传导性能和机械稳定性，便于自动化贴片生产，并支持高密度PCB布局。整体设计遵循严格的工业质量标准，具备高MTBF（平均无故障时间），确保长期运行的可靠性。这些综合特性使其成为构建高性能网络处理器、交换引擎、雷达系统和高端测试仪器的理想内存解决方案。

CY7C1268KV18-450BZXC广泛应用于对带宽和延迟极为敏感的高性能电子系统中。典型应用领域包括电信基础设施中的核心路由器与多层交换机，用于缓存路由表、数据包缓冲和流量整形处理，保障数据流的高效转发。在无线通信基站（如4G LTE和5G NR基站）中，该芯片可用于基带处理单元的数据暂存，支持高速信道编码解码和波束成形运算。此外，在测试与测量设备（如高速逻辑分析仪、协议分析仪和ATE自动测试设备）中，该SRAM用于采集和回放大量实时数据，确保测试结果的准确性和可重复性。
　　在军事与航空航天领域，该器件也被用于雷达信号处理系统、电子战设备和卫星通信终端，承担高速采样数据的临时存储任务，因其具备良好的温度适应性和抗干扰能力。工业自动化控制系统中，特别是需要高速运动控制和实时图像处理的机器视觉系统，也可利用该芯片实现快速数据交换。此外，高性能计算模块、FPGA加速卡以及智能网卡（SmartNIC）等新兴技术平台也常采用此类QDR II+ SRAM作为协处理缓存，提升整体系统响应速度。由于其双端口独立访问能力，特别适合需要并发读写的并行计算架构，例如数字信号处理（DSP）阵列或多核处理器共享内存池的设计场景。

CY7C1267KV18-450BZXC
　　CY7C1269KV18-450BZXC
　　IS61QF1268KA-450BLI