时间：2025/11/3 22:11:58
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CY7C10191B-10VC是一款由Infineon Technologies（在收购Cypress Semiconductor后）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高性能的低功耗CMOS SRAM系列，采用标准的并行接口架构，具备高可靠性和稳定性，广泛应用于需要快速数据存取和持久稳定运行的工业、通信和嵌入式系统中。CY7C10191B-10VC的存储容量为1 Mbit（128K × 8位），即拥有131,072个字节的存储空间，适用于作为微处理器、微控制器或数字信号处理器的高速缓存或主存储器。该芯片工作电压为3.3V（VDD），兼容TTL电平输入，适合现代低电压系统设计。其封装形式为44引脚SOJ（Small Outline J-leaded Package），型号中的“VC”通常代表该封装类型。该器件的最大访问时间仅为10纳秒（ns），意味着其读写操作响应极快，能够满足对实时性要求较高的应用场景。此外，CY7C10191B-10VC支持全静态操作，无需刷新周期，简化了系统设计，并提升了整体系统的能效与稳定性。由于其成熟的制造工艺和广泛的应用基础，该SRAM在工业控制、网络设备、测试仪器及医疗设备等领域具有长期稳定的供货记录。
制造商：Infineon Technologies
产品系列：CY7C10191B
存储容量：1 Mbit
组织结构：128K × 8
工作电压：3.3V ± 0.3V
访问时间：10 ns
封装/外壳：44-SOJ
工作温度范围：0°C 至 +70°C
引脚数：44
接口类型：并行
读写模式：异步
输入电平：TTL 兼容
最大工作频率：约100 MHz（基于访问时间估算）
待机电流：典型值 5 mA
工作电流：典型值 75 mA
数据保持电压：2.0V
数据保持电流：≤ 2 μA
是否需要刷新：否（静态SRAM）
CY7C10191B-10VC具备卓越的高速性能，其10 ns的访问时间使其能够在高频系统时钟下完成数据读写操作，确保与高速微处理器或DSP无缝对接。这种低延迟特性对于实时数据处理至关重要，例如在网络交换机的数据包缓冲、工业PLC的逻辑运算中间存储以及高端测试设备的波形缓存中表现尤为突出。
该芯片采用CMOS技术制造，显著降低了功耗，尤其是在待机状态下，电流消耗可低至几毫安甚至微安级别，有助于延长便携式设备的电池寿命并减少系统散热负担。同时，全静态设计意味着只要供电不断，数据即可永久保存，无需像DRAM那样定期刷新，从而简化了内存控制器的设计，减少了系统复杂度。
在可靠性方面，CY7C10191B-10VC具备高抗干扰能力和宽工作温度范围（商业级0°C至+70°C），适合部署于电磁环境复杂的工业现场。其TTL电平兼容性使得它可以轻松连接到多种传统和现代逻辑电路，无需额外电平转换电路，降低了整体BOM成本。此外，44引脚SOJ封装提供了良好的机械稳定性和焊接可靠性，适用于自动化贴片生产流程。
该器件还具备出色的写保护机制，通过控制CE#（片选）、OE#（输出使能）和WE#（写使能）信号实现精确的读写时序管理，防止误写操作。所有引脚均具有静电放电（ESD）保护，增强了器件在运输和使用过程中的耐用性。由于其成熟的技术平台和长期供货承诺，CY7C10191B-10VC成为许多关键应用中的首选SRAM解决方案。
CY7C10191B-10VC广泛应用于各类需要高速、稳定、非易失性无关但需持续供电的存储场景。在通信领域，常用于路由器、交换机和基站中的数据缓冲区，用于临时存储转发的数据包，利用其快速读写能力提升网络吞吐效率。
在工业自动化中，该芯片被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制器中，作为程序运行时的临时变量存储或I/O状态缓存，保障控制系统响应的实时性与准确性。
在测试与测量设备如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪中，CY7C10191B-10VC用于采集高速信号样本并暂存数据，便于后续处理和显示，充分发挥其低访问延迟的优势。
此外，在医疗成像设备、航空电子系统和军事通信设备中，由于对数据完整性和系统稳定性要求极高，该SRAM也因其高可靠性而被广泛采用。
嵌入式系统开发者常将其用于无操作系统或轻量级RTOS的项目中，作为主存储器来运行固件代码或存储关键运行参数，尤其适用于那些无法承受DRAM刷新中断或Flash写入延迟的应用场景。
CY7C1019G-10VC
CY7C1019D-10VC
IS61LV10248-10T
AS6C1008-10BIN
EM638320TS-10
