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CY7C09369V-9AXC 发布时间 时间:2025/12/25 23:52:35 查看 阅读:11

CY7C09369V-9AXC是一款由赛普拉斯半导体公司(现为英飞凌科技)生产的高性能、低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于高速双端口静态RAM系列,专为需要高带宽和低延迟数据访问的通信、网络和嵌入式系统应用而设计。其主要特点包括两个独立的数据端口,允许同时进行读写操作,从而显著提升系统吞吐量。该芯片采用90纳米工艺制造,具备良好的电气性能和稳定性,适用于对可靠性要求较高的工业和电信环境。CY7C09369V-9AXC提供144引脚TQFP封装(Thin Quad Flat Package),便于在紧凑型PCB布局中使用,并具有出色的热性能和抗干扰能力。此外,该器件支持多种省电模式,在不牺牲性能的前提下有效降低系统功耗,适合长时间运行的应用场景。作为一款异步双端口SRAM,它能够在无需时钟控制的情况下实现灵活的数据交换,适用于多处理器共享内存架构或实时数据缓冲等场合。

参数

制造商:Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
  产品系列:CY7C09x
  类型:双端口静态RAM(Dual-Port SRAM)
  存储容量:1Mb(64K x 16位)
  供电电压:3.3V ± 10%
  访问时间:9ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:144-TQFP(薄型四方扁平封装)
  接口类型:异步并行接口
  端口数量:2个独立端口(左端口与右端口)
  最大存取速度:约111MHz(基于9ns访问时间)
  输入/输出逻辑电平:LVTTL兼容
  待机电流:典型值低于5mA
  工作电流:典型值约120mA@100MHz

特性

CY7C09369V-9AXC具备卓越的双端口并发操作能力,允许两个独立的处理器或控制器同时访问同一块存储区域而无需复杂的仲裁机制。每个端口都拥有独立的地址线、数据线和控制信号,支持全异步操作,极大提升了系统的灵活性和响应速度。该芯片内置硬件邮箱寄存器和中断逻辑,可用于实现高效的处理器间通信(IPC),避免数据冲突并简化软件设计。其片上地址解码电路支持字节使能和芯片使能功能,允许精确控制数据传输粒度,提高总线利用率。
  该器件采用先进的CMOS工艺,确保了低功耗与高噪声免疫性的平衡。在待机模式下,自动进入低功耗状态,显著减少空闲期间的能量消耗,非常适合便携式或散热受限的应用。此外,CY7C09369V-9AXC具备优异的热稳定性与ESD保护能力,符合工业级可靠性标准,可在恶劣环境下长期稳定运行。其144引脚TQFP封装不仅节省空间,还优化了信号完整性和散热性能,有助于实现高密度PCB布局。
  为了增强系统鲁棒性,该SRAM支持全局复位功能,可同步清空内部状态,确保系统启动时的一致性。所有控制信号均经过内部去抖处理,降低了因外部噪声引起的误操作风险。此外,该芯片支持主从模式切换和端口优先级配置,用户可通过外部引脚设定访问优先级,防止死锁情况发生。综合来看,CY7C09369V-9AXC是一款集高性能、高可靠性和多功能于一体的双端口SRAM解决方案,广泛应用于需要高速数据交换和多处理器协同工作的复杂系统中。

应用

CY7C09369V-9AXC主要用于高性能通信设备,如路由器、交换机和基站中的数据缓存与帧缓冲管理。在这些系统中,两个处理器可以分别通过独立端口访问共享内存,实现无缝的数据转发与协议处理任务分配。该芯片也常见于工业自动化控制系统,用于PLC模块或多轴运动控制器之间的实时数据共享。此外,在测试与测量仪器领域,其高速异步访问能力使其成为数据采集系统中临时存储大量采样结果的理想选择。
  在嵌入式多媒体设备中,该SRAM可用于视频处理单元与主控CPU之间的图像帧缓存,支持流畅的图像叠加与格式转换操作。军事和航空航天电子系统同样采用此类器件,因其具备宽温工作能力和高抗干扰特性,能满足严苛环境下的任务关键型需求。另外,在医疗成像设备中,如超声波或CT扫描仪,CY7C09369V-9AXC可用于快速暂存传感器原始数据,供后续数字信号处理器进行重建运算。总之,凡涉及多处理器架构、高速数据交互或实时性要求高的应用场景,该芯片均能提供稳定可靠的存储支持。

替代型号

[
   "CY7C09369V-12AXC",
   "CY7C09359V-9AXC",
   "CY7C09339V-9AXI",
   "IS61WV51216BLL-10BLI",
   "AS7C361000A-10BIN"
  ]

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CY7C09369V-9AXC参数

  • 数据列表CY7C09269,79,89,9369,89
  • 标准包装90
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 双端口,同步
  • 存储容量288K(16K x 18)
  • 速度9ns
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳100-LQFP
  • 供应商设备封装100-TQFP(14x14)
  • 包装托盘