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CY62256LL-70SNXC 发布时间 时间:2025/11/4 6:41:38 查看 阅读:14

CY62256LL-70SNXC是一款由Infineon Technologies(在收购Cypress Semiconductor后继续支持和生产)推出的高性能3.3V CMOS静态随机存取存储器(SRAM)器件。该芯片属于超低功耗、高速CMOS SRAM系列,采用先进的CMOS技术制造,旨在为需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统提供稳定的存储解决方案。CY62256LL-70SNXC的存储容量为32K x 8位,即总共256千位(256 Kbit),组织形式为32,768个地址,每个地址存储8位数据。其访问时间为70纳秒,意味着从地址有效到数据输出稳定的最大延迟为70ns,适用于中高速度要求的应用场景。该器件封装形式为标准的28引脚SOIC(Small Outline Integrated Circuit),型号中的'SN'代表该封装类型,而'X'表示无铅(Pb-free),'C'表示符合工业级温度范围(-40°C至+85°C)。CY62256LL-70SNXC广泛应用于网络设备、工业控制系统、通信基础设施、消费类电子产品以及各种需要非易失性存储器替代方案或缓存存储的场合。由于其简单的接口设计,仅需地址线、数据线和控制信号(如片选CE、输出使能OE和写使能WE),使得该SRAM易于集成到微控制器、DSP或FPGA系统中。此外,该器件具备低功耗待机模式,在片选信号无效时自动进入低功耗状态,有助于延长电池供电系统的使用寿命。

参数

制造商:Infineon Technologies
  产品系列:CY62256LL
  存储容量:256 Kbit
  存储结构:32K x 8
  工作电压:3.0V ~ 3.6V
  访问时间:70ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装/外壳:28-SOIC
  引脚数:28
  数据总线宽度:8位
  电源电流(最大):约40mA(运行模式)
  待机电流(最大):10μA
  接口类型:并行
  写保护功能:无
  刷新要求:无需刷新(SRAM特性)
  封装细节:无铅(RoHS合规)

特性

CY62256LL-70SNXC具备多项优异的技术特性,使其在众多同类SRAM产品中脱颖而出。首先,该器件采用高性能CMOS工艺制造,确保了高速数据访问能力与低功耗特性的良好平衡。其70ns的访问时间足以满足大多数中高端嵌入式应用对实时响应的需求,例如在工业自动化控制器中用于暂存传感器数据或执行中间计算结果的高速缓冲。其次,该SRAM支持全静态操作,意味着只要电源保持稳定,数据将永久保存而无需定时刷新,这与DRAM形成鲜明对比,简化了系统设计并提高了可靠性。此外,CY62256LL-70SNXC具有自动低功耗待机模式,当片选信号(CE)为高电平时,器件自动进入待机状态,此时电源电流可低至10μA,显著降低系统整体能耗,特别适合便携式设备或远程监控终端等依赖电池供电的应用场景。
  另一个关键特性是其宽泛的工作电压范围(3.0V至3.6V),允许在不同电源条件下稳定运行,增强了与其他逻辑器件的兼容性。该器件还具备高抗干扰能力和良好的噪声抑制性能,能够在电磁环境复杂的工业现场保持数据完整性。所有输入引脚均具备施密特触发器特性,提升了对缓慢变化或噪声信号的容忍度,防止误触发导致的数据错误。输出驱动能力强,能够直接驱动TTL或CMOS负载,减少外部缓冲电路的需求。此外,CY62256LL-70SNXC符合RoHS环保标准,采用无铅封装,适应全球绿色环保制造趋势。其28引脚SOIC封装不仅体积适中,便于手工焊接和自动化贴装,而且引脚排列符合行业通用规范,方便PCB布局布线。最后,该器件经过严格的老化测试和可靠性验证,具备出色的长期稳定性,适用于对寿命和稳定性要求较高的工业级和商业级应用。

应用

CY62256LL-70SNXC因其高速、低功耗和高可靠性的特点,被广泛应用于多个领域。在通信设备中,它常用于路由器、交换机和基站模块中作为数据缓存或协议处理临时存储单元,支持快速封包处理和队列管理。在工业控制系统中,该SRAM可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)设备和运动控制器中,用于存储运行时变量、I/O映射表或中断上下文信息,确保控制过程的实时性和连续性。消费类电子产品如打印机、扫描仪和多媒体播放器也常采用此类SRAM来提升系统响应速度。此外,在医疗设备、测试测量仪器和汽车电子系统中,CY62256LL-70SNXC可用于存储校准参数、运行日志或临时采集的数据,保障设备在复杂环境下的稳定运行。由于其并行接口简单易用,该芯片也非常适合用于FPGA或ASIC开发板上的外扩内存,帮助开发者扩展数据缓冲空间,实现更复杂的功能。在需要频繁读写且不允许延迟的关键任务系统中,该SRAM提供了比Flash或EEPROM更优的性能选择。同时,由于其非易失性虽不如Flash,但读写无限次且无擦除延迟,因此非常适合用作高速数据采集系统的中间缓存,例如示波器前端或数据记录仪。总体而言,凡是需要快速、可靠、持续读写的存储场景,都是CY62256LL-70SNXC的理想应用领域。

替代型号

IS62WVS2568BL-70NLI

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CY62256LL-70SNXC参数

  • 标准包装27
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量256K (32K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装28-SOIC
  • 包装管件
  • 其它名称428-1749-5CY62256LL-70SNXC-ND