制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：CySRAM
　　存储容量：32K x 8位（256 Kbit）
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　访问时间：55 ns
　　封装/外壳：44-SOJ
　　引脚数：44
　　接口类型：并行
　　读取电流（最大）：25 mA
　　待机电流（最大）：10 μA
　　组织结构：32,768 字 × 8 位
　　存取模式：异步
　　数据保持电压：2.0 V
　　数据保持电流：≤ 100 μA
　　输出驱动能力：TTL/CMOS 兼容
　　可靠性：高抗噪性、抗辐射设计

CY62256LL-55ZXIT具备多项高性能特性，使其成为多种嵌入式系统中的理想选择。首先，其高速55ns的访问时间确保了与现代微控制器和微处理器的良好兼容性，能够在不牺牲性能的前提下完成快速数据交换。这种速度水平足以应对大多数实时处理任务，如缓冲区管理、高速缓存和临时数据存储等场景。
　　其次，该SRAM采用了先进的CMOS制造工艺，不仅提高了集成度，还大幅降低了功耗。在正常操作模式下，其典型工作电流仅为25mA，而在待机或低功耗模式下，电流可降至10μA以下，极大延长了依赖电池供电设备的使用寿命。此外，当CE（Chip Enable）信号有效时芯片处于活跃状态，而当CE为高电平时，器件自动进入低功耗待机模式，无需额外控制逻辑即可实现节能管理。
　　第三，CY62256LL-55ZXIT具有出色的环境适应能力，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在极端气候条件下稳定运行，适用于户外通信基站、车载电子系统及工业自动化设备等严苛应用场景。其封装采用44引脚SOJ形式，引脚间距为1.27mm，便于PCB布局和焊接，同时具备良好的散热性能和机械强度。
　　第四，该器件提供TTL/CMOS电平兼容的输入输出接口，增强了与其他数字逻辑电路的互操作性。所有输入端均具备噪声抑制功能，提升了信号完整性，减少了误触发风险。数据保持电压低至2.0V，允许在主电源关闭后通过备用电源维持数据不丢失，常用于实时时钟（RTC）模块或配置信息存储。
　　最后，Infineon对CY62256LL系列进行了严格的可靠性测试，包括高温老化、湿度敏感度等级评估和ESD保护设计，确保长期使用的稳定性与安全性。这些特性共同构成了一个高性能、低功耗、高可靠性的静态RAM解决方案，广泛服务于关键任务系统。

CY62256LL-55ZXIT的应用领域非常广泛，主要集中在需要高速、低功耗和高可靠性的电子系统中。在通信设备方面，它常被用于路由器、交换机和基站中的帧缓冲、协议处理缓存和临时数据暂存，因其快速响应能力和稳定的并行接口，能够有效提升数据吞吐效率。
　　在工业控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块中作为程序运行内存或状态寄存器，支持实时监控与控制任务的执行。其宽温特性和抗干扰设计特别适合工厂自动化环境中存在的电磁噪声和温度波动问题。
　　在医疗电子设备中，如监护仪、超声成像系统和便携式诊断工具，CY62256LL-55ZXIT可用于存储患者数据、设备配置参数或中间计算结果，确保关键信息不会因短暂断电而丢失，尤其是在配合备用电池使用时表现出色。
　　消费类电子产品如高端打印机、POS终端和智能家电也常采用此类SRAM来提升系统响应速度和多任务处理能力。此外，在汽车电子系统中，该芯片可用于仪表盘显示控制、车载信息娱乐系统和ADAS（高级驾驶辅助系统）模块中，提供可靠的本地数据存储支持。
　　科研仪器和测试测量设备同样依赖于该SRAM的高稳定性与精确时序控制能力，用于采集数据的临时缓存和高速信号处理路径中的中间存储环节。总之，凡是要求快速读写、持续供电保障和长期稳定运行的场合，CY62256LL-55ZXIT都是一个值得信赖的选择。

CY62256L-55ZSXI
　　CY62256NLL-55ZSXI
　　IS62WV256-55BLLI
　　XM62256SA-55SI