类型：SRAM
　　密度：256 Kbit
　　组织方式：32K × 8
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：55ns
　　工作电流：典型值 15mA（最大 25mA）
　　待机电流：典型值 10μA（最大 100μA）
　　封装类型：44-SOJ
　　引脚数：44
　　温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　接口类型：并行
　　写保护功能：支持
　　输入/输出逻辑电平：CMOS
　　可靠性：可承受10万次读写周期以上
　　数据保持电压：最低1.5V
　　存储寿命：大于10年（断电状态下）

CY62256LL-55ZXI具有多项优异的技术特性，确保其在复杂电子系统中的高效与稳定运行。首先，该芯片采用了高性能的CMOS电路设计，实现了55纳秒的快速访问时间，能够满足对实时性要求较高的应用需求，如工业自动化控制系统中的缓存存储或通信协议处理单元的数据暂存。其次，其低功耗特性尤为突出，在正常工作模式下典型电流仅为15mA，而在待机模式下可降至10μA以下，极大延长了电池供电系统的续航能力，适用于便携式仪器仪表和远程监控设备。
　　该器件支持全静态操作，意味着只要电源维持在规定范围内，数据即可长期保持而无需任何时钟信号或刷新操作，这不仅降低了系统控制器的负担，也提升了整体系统的可靠性。此外，CY62256LL-55ZXI具备良好的抗噪性能和电磁兼容性（EMC），可在强电磁干扰环境中稳定工作，适合部署于工厂自动化、电力监控等工业现场。
　　芯片内置写使能（WE）、片选（CE）和输出使能（OE）控制信号，允许精确控制读写操作，防止误写入导致的数据损坏。其输入引脚具备施密特触发器设计，增强了对慢速上升/下降沿信号的适应能力，提升了系统接口的兼容性。所有输入端均兼容TTL电平，便于与多种微处理器、微控制器及FPGA直接连接，无需额外的电平转换电路。
　　在封装方面，44-SOJ结构提供了良好的散热性能和机械强度，同时兼顾了PCB布局的空间效率。该器件经过严格的出厂测试，保证每颗芯片都符合规格书定义的电气和功能参数，并支持高温老化筛选，适用于高可靠性要求的应用场景。

CY62256LL-55ZXI因其高速、低功耗和高可靠性的特点，被广泛应用于多个领域。在通信设备中，它常用于路由器、交换机和基站模块中作为协议缓冲区或帧缓存，用于临时存储待处理的数据包，提高数据吞吐效率。在工业控制领域，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制器中，作为程序变量存储或实时数据采集的中间缓存，保障控制系统的响应速度和稳定性。
　　在网络设备中，CY62256LL-55ZXI可作为FPGA或ASIC的外部高速缓存，协助完成数据包分类、队列管理等功能。在医疗电子设备中，如监护仪、超声成像系统中，该芯片可用于图像数据的临时存储，确保关键信息不会因主控系统延迟而丢失。
　　此外，该器件还适用于测试与测量仪器，例如示波器、频谱分析仪等，用于高速采样数据的暂存；在消费类电子产品中，如高端打印机、POS终端、智能电表等也有应用。由于其支持工业级温度版本，因此也可部署于户外监控摄像头、车载电子系统等恶劣环境下的嵌入式装置中，提供持久稳定的存储服务。

CY62256EL-55ZSXI
　　IS62WV256-55BLLI
　　AS6C2568-55PCN2