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CY62148ELL-45ZSXI 发布时间 时间:2025/11/4 7:05:33 查看 阅读:16

CY62148ELL-45ZSXI 是 Cypress Semiconductor(现属于 Infineon Technologies)生产的一款高速 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于 CY62148E 系列,具有 1 Mbit(128K × 8 位或 64K × 16 位)的存储容量,采用高性能的全静态设计,无需刷新即可保持数据稳定,适用于需要快速、可靠数据存储的应用场景。该芯片工作电压为 3.3V ± 0.3V,支持低功耗操作模式,待机电流极低,适合对功耗敏感的设计。CY62148ELL-45ZSXI 的访问时间为 45ns,能够满足中高速微处理器系统对内存响应速度的要求。该器件封装形式为 56 引脚 TSOP(Thin Small Outline Package),型号后缀 'ZSXI' 表明其符合工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)、无铅且符合 RoHS 标准,适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等严苛环境下的应用。该 SRAM 具备三态输出和片选控制功能,支持多设备总线连接与扩展,提高了系统设计的灵活性。

参数

类型:CMOS SRAM
  容量:1 Mbit (128K x 8 / 64K x 16)
  组织方式:128K × 8 或 64K × 16
  工作电压:3.3V ± 0.3V
  访问时间:45ns
  工作电流:典型值 90mA(最大 140mA)
  待机电流:ISB1 ≤ 5μA(CMOS 待机);ISB2 ≤ 20μA(TTL 待机)
  输入/输出逻辑电平:LVTTL 兼容
  封装类型:56-pin TSOP Type II
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚数量:56
  安装方式:表面贴装(SMD)
  无铅/环保:符合 RoHS 指令,无铅(Lead-free)

特性

CY62148ELL-45ZSXI 采用先进的 CMOS 技术制造,具备高速存取能力和低功耗特性,是专为高性能嵌入式系统设计的静态随机存取存储器。其核心优势在于全静态操作架构,这意味着只要电源持续供应,存储内容将永久保持而无需外部刷新机制,极大简化了系统控制逻辑并提升了数据可靠性。该器件的访问时间为 45ns,能够在单周期内完成读写操作,适用于与多种微控制器、微处理器及 DSP 芯片直接接口,显著提升系统整体运行效率。在功耗管理方面,该芯片支持两种待机模式:通过使能 CHIP ENABLE(CE)信号进入深度 CMOS 待机模式时,典型电流仅为 5μA,而在 TTL 兼容待机模式下也仅消耗约 20μA 电流,非常适合电池供电或需节能运行的工业与便携式设备。
  该器件具备完整的三态输出控制功能,允许多个存储器或其他外设共享同一数据总线,避免总线冲突,增强了系统的可扩展性与集成度。其地址、数据和控制引脚均具备静电放电(ESD)保护结构,提升了器件在实际使用中的鲁棒性。CY62148ELL-45ZSXI 支持字节写入控制(UB/LB),允许用户独立控制高字节和低字节的数据写入,在 16 位模式下实现灵活的数据管理,同时兼容 8 位系统应用。所有输入端口均采用施密特触发器设计,增强了噪声抑制能力,确保在复杂电磁环境中仍能稳定工作。此外,该芯片采用无铅封装工艺,符合国际环保标准(如 RoHS 和 WEEE),适用于出口型产品和绿色电子产品设计。工业级温度范围使其能在极端环境下可靠运行,广泛用于工厂自动化、网络通信模块、医疗仪器及车载电子等领域。

应用

CY62148ELL-45ZSXI 主要应用于需要高速、稳定、低功耗本地存储的各种电子系统中。常见用途包括工业控制设备中的缓冲存储器、PLC 控制器的数据暂存区、通信基站和路由器中的帧缓存单元、测试测量仪器的数据采集缓冲、医疗成像设备的图像临时存储等。由于其支持 8/16 位两种组织模式,因此可以灵活适配不同架构的处理器系统,尤其适合与 ARM7、ColdFire、PowerPC 或其他传统 CISC/RISC 架构微处理器搭配使用。在嵌入式网关、智能仪表、POS 终端以及航空航天电子系统中,该芯片也被广泛用于代码存储、运行时变量保存和中断上下文备份等功能。此外,因其出色的温度适应性和长期供货保障,该器件常被选用在要求高可靠性的关键任务系统中。

替代型号

CY62148EV30LL-45ZSXI
  CY62148EV30LL-55ZSXI
  IS62WV128-45TLI

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CY62148ELL-45ZSXI参数

  • 数据列表CY62148E
  • 标准包装117
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量4M (512K x 8)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳32-SOIC(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装32-TSOP II
  • 包装托盘
  • 其它名称428-1804