类型：CMOS SRAM
　　密度：8 Mbit
　　组织结构：512K × 16
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：45 ns
　　封装类型：56-TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：并行异步
　　输入/输出逻辑电平：LVTTL 兼容
　　最大静态电流：10 μA（典型值）
　　最大动态电流：90 mA（典型值）
　　写入模式：字节写或全宽度写
　　刷新要求：无需刷新
　　封装引脚数：56
　　安装方式：表面贴装（SMD）

CY621472E30LL-45ZSXIT 具备多项关键特性，使其在众多高速存储应用场景中表现出色。首先，其45ns的快速访问时间确保了在高频数据交换环境下的高效响应能力，能够满足实时控制系统和高速缓存的需求。该器件采用标准异步接口协议，支持CE#（片选）、OE#（输出使能）和WE#（写使能）三线控制信号，简化了与各种主控制器的硬件连接与时序设计。其512K×16的组织结构提供了较大的数据缓冲空间，适用于图像处理、帧缓存、协议转换缓冲等需要大容量临时存储的应用场景。
　　其次，该SRAM在功耗管理方面表现优异。在待机状态下，其静态电流极低，典型值仅为10μA，显著降低了系统空闲时的能耗，特别适合由电池供电或对能效敏感的嵌入式系统。而在活跃读写操作期间，动态电流保持在合理水平（约90mA），避免了过热问题，提升了系统稳定性。此外，该芯片采用3.3V单电源供电，不仅降低了功耗，还提高了与现代低电压数字系统的兼容性。
　　在可靠性方面，CY621472E30LL-45ZSXIT 经过严格的质量测试，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在高温、低温及湿度变化剧烈的环境中稳定运行，适用于户外通信基站、车载电子和工业PLC等恶劣工况。其TSOP封装具有良好的散热性能和机械强度，支持回流焊工艺，适合自动化大规模生产。
　　最后，该器件遵循RoHS环保标准，不含铅等有害物质，符合全球电子产品环保法规要求。同时，英飞凌提供长期供货承诺，确保客户在产品生命周期内获得持续供应保障，减少因元器件停产带来的设计变更风险。这些综合特性使得CY621472E30LL-45ZSXIT 成为高性能嵌入式系统中理想的高速存储解决方案。

CY621472E30LL-45ZSXIT 广泛应用于多个对数据存取速度和系统稳定性有较高要求的技术领域。在通信设备中，它常被用于路由器、交换机和基站中的数据包缓冲区，利用其高速读写能力实现快速转发和流量管理。在网络设备中，作为FPGA或ASIC的外部扩展存储器，用于暂存配置信息、路由表或协议头处理中间数据，提升系统整体处理效率。
　　在工业自动化领域，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制卡中，作为程序运行时的临时数据存储区域，支持实时任务调度和高速I/O数据采集。其宽温特性和高可靠性保证了在工厂车间复杂电磁环境下的长期稳定运行。
　　此外，在医疗电子设备如监护仪、超声成像系统中，CY621472E30LL-45ZSXIT 可用于图像帧缓存，协助完成图像拼接、滤波和显示刷新等操作。在测试与测量仪器中，例如示波器或逻辑分析仪，该SRAM可用于高速采样数据的临时存储，确保不丢失关键信号信息。
　　航空航天与国防系统也采用此类高可靠性SRAM，用于雷达信号处理、飞行控制计算机和卫星通信模块中，满足极端环境下的数据处理需求。同时，由于其易于集成和成熟的设计资源支持，该器件也被广泛用于各类开发板和原型验证平台中，加速产品开发周期。

CY621472E30LL-45BAXI
　　CY621472E30LL-45ZAAXI
　　IS62WVS4M16BLL-45BLI