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CY62136ESL-45ZSXI 发布时间 时间:2025/11/4 4:29:50 查看 阅读:7

CY62136ESL-45ZSXI是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的高性能、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于其Cypher系列,专为需要高速数据访问和可靠性的嵌入式系统应用而设计。这款SRAM采用先进的CMOS工艺制造,具备出色的抗干扰能力和稳定性,适用于工业控制、通信设备、网络基础设施以及汽车电子等对可靠性要求较高的领域。CY62136ESL-45ZSXI的存储容量为2 Mbit(即256 K × 8位),提供并行接口,支持快速的数据读写操作,访问时间低至45纳秒,能够满足实时性要求较高的应用场景。该器件工作电压为3.3V ± 0.3V,符合现代低功耗设计趋势,并在宽温度范围内(通常为-40°C至+85°C)保持稳定运行,适合恶劣环境下的使用。封装形式为48-pin TSOP(Thin Small Outline Package),便于在高密度PCB布局中集成。此外,该芯片具备自动省电模式,在不进行读写操作时可显著降低功耗,延长系统电池寿命或减少整体能耗。CY62136ESL-45ZSXI还具有高抗噪性和数据保持能力,即使在电源波动或短暂断电情况下也能确保数据完整性。作为一款工业级SRAM产品,它通过了严格的可靠性测试,包括高温老化、湿度敏感度和机械冲击测试,确保长期使用的稳定性与耐久性。该器件广泛应用于路由器、交换机、医疗设备、测试仪器及工业自动化控制器中,是高性能嵌入式系统的理想选择之一。

参数

型号:CY62136ESL-45ZSXI
  制造商:Infineon Technologies
  存储类型:SRAM
  存储容量:2 Mbit (256K x 8)
  访问时间:45 ns
  工作电压:3.3V ± 0.3V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:48-pin TSOP
  接口类型:并行
  组织结构:262,144 words × 8 bits
  最大读取电流:25 mA
  待机电流:≤ 10 μA
  数据保持电压:≥ 2.0 V
  数据保持时间:典型值 > 10 年(在最低保持电压下)
  输入/输出逻辑电平:兼容 LVTTL
  写保护功能:支持片选控制实现硬件写保护
  封装尺寸:标准 48-pin TSOP-II 封装,符合 JEDEC 标准

特性

CY62136ESL-45ZSXI具备多项关键特性,使其在高性能SRAM市场中脱颖而出。首先,其45ns的快速访问时间确保了在高频率操作下的低延迟响应,非常适合用于缓存、帧缓冲或实时数据处理任务。其次,该芯片采用先进的CMOS制造工艺,在保证高速性能的同时实现了极低的动态和静态功耗,尤其在待机或自动睡眠模式下电流消耗可降至10μA以下,极大提升了能效表现。这种节能特性对于便携式设备或长时间运行的工业系统至关重要。此外,该器件支持全静态操作,无需刷新周期,简化了系统设计并提高了数据可靠性。其LVTTL兼容的输入输出接口使得它可以无缝集成到多种微处理器和控制器系统中,增强了系统兼容性。CY62136ESL-45ZSXI还具备强大的抗干扰能力,内部电路设计优化以抵抗电源噪声和电磁干扰,确保在复杂电磁环境中稳定运行。在可靠性方面,该SRAM经过严格的质量控制流程,支持宽温工作范围(-40°C至+85°C),适用于极端环境下的工业与汽车应用。封装采用48引脚TSOP形式,具有良好的散热性能和PCB贴装兼容性,适合自动化贴片生产线。更重要的是,该芯片提供数据保持功能,当供电电压下降至2.0V时仍能维持存储内容,配合外部备用电源或超级电容可实现断电保护机制。所有控制信号均带有施密特触发输入设计,提升噪声容限,进一步增强系统鲁棒性。最后,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和有害物质,支持绿色电子制造要求。
  

应用

CY62136ESL-45ZSXI广泛应用于多个高要求的技术领域。在通信基础设施中,常被用作网络交换机、路由器和基站设备中的高速数据缓存,用于临时存储报文、路由表或语音/视频流数据,确保信息传输的实时性和完整性。在工业自动化控制系统中,该SRAM可用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和运动控制器中作为程序运行内存或中间数据缓冲区,支持复杂的控制算法执行。在医疗电子设备如监护仪、超声成像系统和便携式诊断仪器中,其高可靠性和低功耗特性保障了患者数据的安全存储与快速调用。此外,在测试与测量仪器(如示波器、频谱分析仪)中,该芯片可用于采集数据的高速暂存,提升仪器响应速度和测量精度。汽车电子领域也广泛应用此型号,例如车载信息娱乐系统、ADAS(高级驾驶辅助系统)模块和ECU(电子控制单元)中,用于实时图像处理或传感器数据融合。由于其支持宽温范围和高抗扰度,特别适合部署在高温引擎舱或寒冷户外环境下工作的设备。同时,该器件也被用于军事和航空航天相关的嵌入式系统中,承担关键任务的数据存储需求。得益于其标准化的并行接口和成熟的供应链支持,CY62136ESL-45ZSXI成为众多工程师在设计高性能、高可靠性系统时的首选SRAM解决方案之一。
  

替代型号

IS62WVS2568DBLL-45NLI

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CY62136ESL-45ZSXI参数

  • 数据列表CY62136ESL
  • 标准包装135
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量2M (128K x 16)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.2 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商设备封装44-TSOP II
  • 包装管件