您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CY62128ELL-45SXI

CY62128ELL-45SXI 发布时间 时间:2024/5/21 14:22:19 查看 阅读:268

CY62128ELL-45SXI是一款高性能、低功耗的静态随机存储器(SRAM)芯片。它采用了45纳米工艺制造,具有128K字节(1M位)的存储容量。该芯片采用的是低功耗设计,工作电压范围为1.7V至3.6V,工作温度范围为-40°C至85°C,使其非常适合电池供电设备和低功耗应用。
  CY62128ELL-45SXI具有快速的读写速度和低功耗特性。它的读写访问时间为45纳秒,具有高达70MHz的时钟频率。同时,它还支持随机访问模式和连续访问模式,能够满足不同应用的需求。
  该芯片的封装形式为48引脚TSOP II封装,尺寸为12.3mm x 20mm。它采用了RoHS(无铅)和绿色材料,符合环保要求。
  CY62128ELL-45SXI还具有可靠性和耐用性。它支持自动和手动休眠模式,以降低功耗。此外,它还支持数据保护功能,包括写保护功能和电源电压监测功能,有效保护存储数据的安全。

参数和指标

容量:128K x 8bit(1Mbit)
  供电电压:2.7V至3.6V
  访问时间:45ns
  低功耗待机模式:静态电流小于1uA
  工作温度范围:-40°C至85°C
  封装形式:SOIC-32

组成结构

CY62128ELL-45SXI由存储单元组成,每个存储单元可以存储一个bit的数据。它采用CMOS技术,具有高速读写能力和低功耗特性。存储单元由六个晶体管组成,包括一个存储电容和两个开关电容。

工作原理

CY62128ELL-45SXI的工作原理是基于存储电容的充放电过程。当写数据时,控制信号会将数据写入到存储电容中,电容充电或放电来表示不同的数据。当读数据时,控制信号将电容的电压传输到读放大器,然后转换为数字信号输出。

技术要点

CY62128ELL-45SXI采用了一系列关键技术,以实现高性能和低功耗的特性。一些关键技术包括:
  CMOS技术:采用CMOS技术可以实现高速读写和低功耗。
  存储电容设计:优化存储电容的设计可以提高存储密度和可靠性。
  电源管理:合理管理供电电压和功耗可以延长芯片的使用寿命。

设计流程

设计CY62128ELL-45SXI的流程包括以下几个步骤:
  1、确定设计需求和规格。
  2、进行电路设计和布局布线。
  3、进行电路仿真和验证。
  4、制作样品并进行测试和验证。
  5、进行批量生产和质量控制。

注意事项

在设计和使用CY62128ELL-45SXI时,需要注意以下几点:
  供电电压范围:要确保芯片在规定的供电电压范围内工作,以避免损坏。
  温度范围:芯片的工作温度范围是-40°C至85°C,超出范围可能影响性能和可靠性。
  静电防护:在处理和操作芯片时,要注意静电防护,以防止静电放电对芯片造成损害。

CY62128ELL-45SXI推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CY62128ELL-45SXI资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

CY62128ELL-45SXI参数

  • 数据列表CY62128E
  • 标准包装25
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量1M (128K x 8)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳32-SOIC(0.455",11.30mm 宽)
  • 供应商设备封装32-SOIC
  • 包装管件
  • 其它名称428-1941-5CY62128ELL-45SXI-ND