类型：Static RAM
　　密度：128 Kbit
　　组织结构：8K x 16
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：70 ns
　　工作温度范围：0°C ~ +70°C
　　封装/外壳：44-SOJ
　　接口类型：并行
　　读写模式：异步
　　制造商：Infineon Technologies
　　包装类型：Tube
　　极性：非易失性存储器否
　　最大工作电流：35 mA
　　输出类型：3-State
　　地址输入数量：13
　　数据总线宽度：16
　　刷新功能：无
　　时钟频率：无
　　写保护功能：无
　　掉电数据保持：不支持

CY62128BLL-70ZI具备出色的高速访问能力，其典型访问时间为70纳秒，能够在微处理器或控制器需要频繁读写操作的应用中提供流畅的数据传输体验。该SRAM采用CMOS技术制造，显著降低了功耗水平，在待机状态下电流消耗可低至数微安级别，而在活跃读写期间的最大工作电流也仅为35mA左右，有助于提升整个系统的能效表现。这种低功耗特性使其非常适合用于对电源管理较为敏感的设计环境中，例如便携式设备或长时间运行的工业控制装置。
　　该器件的组织结构为8K x 16位，意味着它拥有8192个地址位置，每个地址可存储16位数据，总容量为128Kbit。这种配置使得它可以高效地与16位微处理器或DSP直接接口，无需额外的数据拼接逻辑，简化了硬件设计复杂度。所有控制信号均符合标准异步SRAM协议，包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）等引脚，支持全写入、半字节写入等多种操作模式，增强了其在不同系统架构下的兼容性和灵活性。
　　CY62128BLL-70ZI采用44引脚SOJ封装，引脚间距为1.27mm，符合行业通用标准，便于自动化贴片生产和返修维护。该封装还具备较好的散热性能和抗振动能力，适用于较为严苛的工业环境。器件符合RoHS环保标准，不含铅或其他有害物质，支持绿色环保生产要求。此外，其输入输出电平兼容TTL/CMOS逻辑，能够无缝对接多种数字电路系统，减少电平转换的需求。
　　该SRAM不具备内部刷新机制或掉电数据保持功能，属于典型的异步静态RAM，因此必须由外部系统保证持续供电以维持数据完整性。虽然这限制了其在断电场景下的应用，但也正是由于结构简单，带来了更高的可靠性和更长的使用寿命。整体而言，CY62128BLL-70ZI是一款成熟可靠的高性能SRAM产品，适用于需要中等容量、快速响应和稳定运行的嵌入式存储应用领域。

CY62128BLL-70ZI广泛应用于各类需要高速数据缓冲和临时存储功能的电子系统中。常见的使用场景包括网络通信设备，如路由器、交换机和网桥，其中该SRAM可用于暂存数据包头部信息或路由表缓存，以加快数据转发速度。在工业自动化控制系统中，它常被用作PLC（可编程逻辑控制器）中的中间数据存储单元，用于保存实时采集的传感器数据或执行指令队列，提高控制响应效率。
　　该芯片也常见于办公自动化设备，例如激光打印机、多功能一体机和扫描仪等。在这些设备中，CY62128BLL-70ZI可用于图像数据缓冲，将来自计算机的打印任务暂时存储，以便主控MCU按需处理，避免因主处理器负载过高而导致延迟。此外，在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等，该SRAM可用于高速采样数据的临时存储，支持快速数据采集与回放功能。
　　消费类电子产品中也有其身影，尤其是在老式多媒体播放器、POS终端和智能家居主控模块中，作为辅助内存扩展使用。由于其异步接口设计简单，易于集成到基于8051、Z80、M68K等传统架构的系统中，因此在一些延续性项目或升级替代方案中仍具有较高价值。同时，因其供货周期较长且技术成熟，也被广泛用于教育实验平台和原型开发板中，帮助工程师进行系统验证和调试工作。

CY62128BLL-70ZS
　　CY62128BLL-55ZI
　　IS62WV128-70TLI
　　AS6C1008-70PCN2