时间：2025/6/23 19:17:37
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CL31B475KBHVPJE 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的功率 MOSFET 芯片，该芯片属于 N 沟道增强型场效应晶体管。这种类型的器件通常用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的应用场景。其设计目标是提供低导通电阻和高电流能力以满足高性能需求。
这款芯片采用了先进的封装技术，具有出色的热性能和电气特性。
型号：CL31B475KBHVPJE
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 条件下）
栅极电荷：69nC（典型值）
功耗：25W（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263-3（D2PAK）
CL31B475KBHVPJE 的主要特点是其低导通电阻和快速开关能力。低导通电阻可以减少导通损耗，从而提高整体效率并降低发热问题。此外，该器件的栅极电荷较小，有助于实现更高效的开关操作，同时减少了开关损耗。
该芯片还具备出色的热稳定性，使其能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。其坚固的构造允许在高电流和高压环境下运行，并且具有良好的抗雪崩能力。这些特点使得 CL31B475KBHVPJE 成为各种功率转换应用的理想选择。
CL31B475KBHVPJE 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各类电机驱动电路，例如无刷直流电机控制。
3. 高效负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电动工具和家用电器中的功率转换电路。
由于其优异的性能和可靠性，它适用于对效率和耐用性要求较高的场合。
IRLB8721PBF, FDP5800, AO3400A
