容量：8K x 16位
　　组织结构：8192字 × 16位
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　最大访问时间：70ns
　　工作电流（典型值）：25mA（读模式）
　　待机电流（CMOS）：< 5μA
　　输入逻辑电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：Q驱动 - 8个LS-TTL负载
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-pin SOJ (Small Outline J-leaded Package)
　　引脚间距：1.27mm
　　存储器类型：异步静态RAM (SRAM)
　　读写操作：支持异步读/写，无须时钟信号
　　数据保持电压：≥ 2.0V

CY62128BLL-70具备多项关键特性，使其在多种工业与通信应用中表现出色。首先，该器件采用了先进的CMOS技术，显著降低了动态和静态功耗，特别适合对能效有严格要求的系统设计。其待机电流低于5微安，可在系统休眠或低功耗模式下有效延长电池寿命或减少散热需求。其次，70纳秒的快速访问时间确保了数据读取和写入的高效性，满足大多数中速嵌入式处理器的数据交换需求。此外，CY62128BLL-70具有全静态设计，意味着只要电源维持在规定范围内，就不需要任何时钟或刷新信号来保持数据，简化了系统时序设计并提高了可靠性。
　　该SRAM芯片支持标准的地址和数据总线接口，易于与微控制器、DSP或其他主控单元集成。其TTL电平兼容的输入输出特性使得它可以无缝连接传统逻辑电路，无需额外的电平转换器。在写入操作方面，CY62128BLL-70通过片选（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE）三个控制信号实现精确的读写控制，支持字节写入（UB/LB控制）功能，允许单独访问高字节或低字节，提升了数据处理灵活性。这种灵活性对于需要混合8位和16位数据传输的系统尤为重要。
　　从环境适应性来看，CY62128BLL-70的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），可在极端温度条件下稳定运行，适用于户外设备、车载系统及工厂自动化设备。其44引脚SOJ封装不仅节省空间，而且便于自动化贴片生产，提高制造效率。此外，该器件经过严格的质量测试，具备高抗噪能力和EMI鲁棒性，能够在电磁干扰较强的环境中可靠工作。最后，作为Cypress成熟产品线的一员，CY62128BLL-70拥有完善的文档支持和技术资料，包括数据手册、应用笔记和参考设计，方便工程师进行快速开发与故障排查。

CY62128BLL-70因其稳定的性能和广泛的兼容性，被广泛应用于多个工业和技术领域。在通信基础设施中，它常用于路由器、交换机和基站设备中作为缓冲存储器，用于临时存储数据包或配置信息，确保高速数据流的顺畅处理。在工业控制系统中，该SRAM可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块，提供快速响应的数据暂存能力，支持实时控制任务的执行。
　　在办公自动化设备如激光打印机、多功能一体机和扫描仪中，CY62128BLL-70用于图像缓存和命令队列管理，提升设备处理速度和响应效率。汽车电子系统也是其重要应用领域之一，例如在车载信息娱乐系统、仪表盘控制单元和ADAS（高级驾驶辅助系统）中，该芯片可作为临时数据存储单元，协助主处理器完成传感器数据采集与预处理任务。
　　此外，在测试与测量仪器、医疗监控设备以及军事/航空航天电子系统中，CY62128BLL-70凭借其高可靠性、宽温工作能力和长期供货保障，成为许多关键子系统的首选存储解决方案。由于其异步接口简单且无需复杂的初始化流程，非常适合用于FPGA或ASIC配套的外部存储扩展，尤其是在需要确定性延迟和低延迟响应的设计中表现优异。即使是现代基于DDR或QSPI Flash的系统，CY62128BLL-70仍然在某些特定模块中作为辅助SRAM使用，以避免主内存带宽竞争问题。

CY62128BLL-55
　　CY62128BLL-70XI
　　IS62WV128-70BLL
　　AS6C1008-70BLLN