型号：CY2SSTV850ZIT
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：硅基振荡器（MEMS Oscillator）
　　输出频率：25.000 MHz
　　频率稳定性：±25 ppm（全温度范围）
　　工作电压：1.71 V 至 3.63 V
　　输出逻辑类型：LVCMOS
　　输出电压电平：LVTTL/LVCMOS 兼容
　　上升时间：≤ 5 ns
　　下降时间：≤ 5 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　相位抖动（12 kHz – 20 MHz）：典型值 1.2 ps RMS
　　电源电流：典型值 3.5 mA（无负载）
　　封装类型：4-pin SMD（2.0 mm x 1.6 mm）
　　安装方式：表面贴装
　　老化率：±3 ppm/年
　　启动时间：≤ 3 ms

CY2SSTV850ZIT基于Infineon先进的Differential Signaling Silicon Timing (DSST) 技术平台，具备卓越的频率稳定性和长期可靠性。其核心采用硅基微机电系统（MEMS）谐振器，相较于传统石英器件，具有更高的抗机械冲击和振动能力，能够在剧烈震动环境下保持稳定的时钟输出，特别适用于汽车、工业自动化等恶劣工况场景。该器件在全温度范围内（-40°C 至 +125°C）实现±25 ppm的频率精度，确保系统在极端冷热交替条件下仍能维持精确同步。其内置的低噪声锁相环（PLL）和自动增益控制（AGC）电路有效抑制了环境干扰对输出信号的影响，显著降低了相位噪声和周期抖动，从而提升高速数据传输系统的误码率表现。
　　CY2SSTV850ZIT支持宽电源电压范围（1.71 V ~ 3.63 V），可兼容多种供电架构，包括单电源系统和混合电压系统，增强了设计灵活性。其LVCMOS输出驱动能力强，可直接驱动多个逻辑输入引脚而无需额外缓冲器，简化了外围电路设计。该器件具有快速启动特性，上电后仅需3毫秒即可进入稳定工作状态，满足对快速唤醒有严格要求的应用需求，如节能型物联网设备或间歇运行的传感器节点。此外，其低功耗特性（典型工作电流3.5 mA）有助于降低整体系统能耗，延长电池寿命。
　　在可靠性方面，CY2SSTV850ZIT通过AEC-Q100 Grade 2认证，符合汽车电子元器件的严苛标准，具备出色的耐高温、耐湿和抗老化性能。其老化率控制在±3 ppm/年以内，保证了产品在整个生命周期内的频率稳定性。封装采用无铅、无卤素材料，符合RoHS和REACH环保规范。由于采用标准化SMD封装，该器件可使用常规回流焊工艺进行装配，兼容现有SMT生产线，无需特殊工艺改造，有利于大规模生产。

CY2SSTV850ZIT广泛应用于对时钟精度和可靠性要求较高的领域。在汽车电子中，常用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘显示模块、车身控制单元（BCM）、ADAS传感器（如雷达和摄像头模块）以及网关通信模块，为其提供主时钟源。在工业控制领域，该器件适用于PLC控制器、工业HMI、现场总线通信接口（如CAN、RS-485）、电机驱动器和智能传感器，保障系统实时响应与数据同步。消费类电子产品中，可用于高端路由器、网络交换机、智能家居中枢、数字电视和机顶盒等设备中的主控芯片时钟供应。
　　此外，由于其优异的EMI性能和抗干扰能力，CY2SSTV850ZIT也适合用于医疗电子设备，如便携式监护仪、超声成像前端和病人数据采集终端，确保信号处理链路的时间基准准确无误。在电信基础设施中，可用于小型基站（Small Cell）、光模块和接入网设备中的同步时钟参考。其小型化封装和高集成度特点使其成为空间受限应用的理想选择，例如可穿戴设备、微型无人机控制板和高密度PCB布局设计。凭借其宽温工作能力和长寿命稳定性，该器件同样适用于户外部署设备和工业级边缘计算节点。

SiT9005AI-25-33E25.000