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CY14V256LA-BA35XI 发布时间 时间:2025/11/4 4:25:35 查看 阅读:15

CY14V256LA-BA35XI是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的串行铁电非易失性RAM(F-RAM),结合了SRAM的高速读写性能和非易失性存储器的数据保持能力。该器件采用先进的铁电技术,能够在无需电池支持的情况下实现无限次的读写操作,并在断电时自动保存数据。其容量为256 Kbit(即32 K × 8位),通过标准的SPI(串行外设接口)进行通信,支持最高35 MHz的时钟频率,使其适用于对数据记录速度和可靠性要求较高的工业、医疗、汽车及嵌入式系统应用。CY14V256LA-BA35XI具备极高的写入耐久性,远超传统EEPROM和闪存,典型写入寿命可达10^14次以上,几乎不会因频繁写入而损坏。此外,它还集成了一个实时时钟(RTC)监控功能,能够检测电源电压下降并自动触发硬件写保护机制,确保在掉电瞬间关键数据不被破坏或覆盖。该芯片工作电压范围为2.7V至3.6V,符合工业级温度范围(-40°C至+85°C),封装形式为8引脚SOIC,便于在空间受限的应用中使用。
  该器件特别适合需要频繁数据采集、日志记录或配置保存的应用场景,例如智能仪表、工业自动化控制器、医疗设备数据记录仪等。由于其非易失性特性基于铁电材料的极化状态而非电荷存储,因此具有更快的写入速度、更低的功耗以及更强的抗辐射能力。与需要擦除周期的Flash不同,CY14V256LA-BA35XI支持字节级写入,无需页擦除操作,极大提升了系统效率和响应速度。

参数

产品型号:CY14V256LA-BA35XI
  制造商:Infineon Technologies
  存储器类型:F-RAM (铁电RAM)
  存储容量:256 Kbit (32K x 8)
  接口类型:SPI (四线制:SI, SO, SCK, CS)
  时钟频率:最高35 MHz
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8-SOIC (Small Outline Integrated Circuit)
  写入耐久性:> 10^14 次/字节
  数据保持时间:超过 10 年(无电池)
  写入时间:即时写入(无延迟)
  供电监控:内置Vcc监测电路
  写保护功能:硬件WP引脚与上电/掉电写保护
  实时时钟支持:支持RTC时间戳功能(需外部晶振)

特性

CY14V256LA-BA35XI的核心优势在于其采用的铁电存储技术(Ferroelectric Random Access Memory, F-RAM),这种技术利用铁电晶体材料的极化方向来存储数据,即使在断电后也能保持信息不变。与传统的EEPROM或Flash存储器相比,F-RAM无需高电压编程和长时间的擦除周期,因此可以实现真正的“即时写入”操作,写入速度与普通SRAM相当,且没有写入次数限制。这使得该器件非常适合用于需要持续、高频写入的应用,如传感器数据记录、事件日志存储、运行状态快照等。其写入耐久性高达10^14次,远远超过EEPROM的10^5~10^6次和Flash的10^4~10^5次,从根本上解决了非易失性存储器因频繁写入导致寿命耗尽的问题。
  另一个重要特性是低功耗表现。由于F-RAM不需要像Flash那样进行块擦除所需的高能脉冲,其写入能耗显著降低,通常仅为EEPROM的1/100至1/1000。这对于电池供电或能量敏感型设备至关重要,有助于延长系统续航时间。同时,在待机模式下,该芯片的静态电流也非常低,进一步优化了整体功耗性能。CY14V256LA-BA35XI还具备出色的抗干扰能力和数据可靠性,在电磁噪声较强的工业环境中仍能稳定工作。其内置的Vcc监控电路可在电源电压低于设定阈值时自动启用写保护,防止在不稳定供电条件下发生误写操作。此外,该器件支持硬件写保护引脚(WP),允许用户通过外部控制锁定特定地址区域,增强数据安全性。
  通信方面,该芯片采用标准SPI接口,兼容大多数微控制器的SPI主控模块,简化了系统集成过程。支持最高35 MHz的SCK频率,使数据传输速率接近现有SPI外设的极限水平,提升了整体系统的响应效率。地址空间组织为32K×8结构,支持字节寻址和连续读写模式,无需复杂的页管理机制。所有写操作均可直接执行,无需预先擦除,极大降低了软件开销和开发复杂度。该器件还支持可选的实时时钟(RTC)时间戳功能,配合外部32.768 kHz晶振,可为每次写入操作附加精确的时间标记,广泛应用于需要审计追踪或事件顺序记录的系统中。

应用

CY14V256LA-BA35XI广泛应用于对数据完整性、写入速度和可靠性有严格要求的领域。在工业自动化中,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、远程终端单元(RTU)和数据采集系统,用于实时记录设备运行参数、故障代码和操作日志。在智能计量领域,如电表、水表和气表,该芯片可用于存储累计用量、费率设置和断电前的最后读数,确保计费数据不丢失。在医疗设备中,可用于保存患者治疗记录、设备校准数据和操作历史,满足医疗法规对数据追溯性的要求。汽车电子系统中,可用于车载诊断(OBD)模块、黑匣子记录器或高级驾驶辅助系统(ADAS)中的配置存储。此外,在POS终端、打印机、网络通信设备和测试测量仪器中也广泛应用,作为快速配置保存和事件日志记录的首选方案。其宽温特性和高可靠性使其适用于恶劣环境下的长期部署。

替代型号

FM25V256-GTR
  CY14V256QA-BA35XI
  MB85RS256B

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CY14V256LA-BA35XI参数

  • 现有数量299现货
  • 价格1 : ¥155.10000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式NVSRAM
  • 技术NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • 存储容量256Kb
  • 存储器组织32K x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页35ns
  • 访问时间35 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-FBGA(6x10)