容量：1Mbit（128K x 8）
　　组织结构：x8
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：54
　　访问时间：10 ns
　　读取电流（最大值）：150 mA
　　待机电流（最大值）：10 mA
　　数据保持电流：10 μA
　　电池电压监测功能：有
　　数据保护机制：硬件写保护（/WP 引脚）

CY14V101QS-BK108XITR 采用先进的非易失性存储技术，具备高速访问能力与断电数据保持功能。其核心优势在于内部集成了锂电池或超级电容接口，确保在系统断电情况下SRAM中的数据不会丢失。该芯片支持自动存储器存储（AutoStore）和手动存储（Hundredth Store）两种模式，用户可根据实际需求灵活选择数据保存方式。此外，该芯片具备硬件写保护引脚，防止在断电或低电压情况下对存储器进行误写操作，从而提高数据安全性。内置的电源电压监测电路能够在电源下降至安全阈值以下时自动启动数据存储操作，确保数据完整性。
　　这款NVSRAM还具备高可靠性，擦写次数无限制，且具备优异的抗干扰能力，适用于复杂电磁环境中的工业和通信设备。其TSOP封装设计便于PCB布局和自动化焊接，适用于高密度电路设计。CY14V101QS-BK108XITR 通常用于需要频繁数据更新且在断电后仍需保持关键数据的应用，例如工业自动化控制器、不间断电源系统、测试与测量设备以及高端网络设备。

该芯片广泛应用于需要高速数据存储和断电数据保持的场景，例如工业控制系统、医疗设备、通信基站、网络路由器与交换机、数据采集系统、智能电表以及航空航天电子设备。其典型应用场景包括临时数据缓冲、关键参数保存、系统日志记录等对数据可靠性要求极高的场合。

CY14B101Q2-SX144ZE, CY14V101LA-ZS45XI, CY14V101QA-BK144XITR