CY14MB064Q1A-SXIT是一款由Cypress Semiconductor(现为Infineon Technologies)制造的64兆位(64Mbit)串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。nvSRAM是一种结合了高速SRAM和非易失性存储技术的存储器,能够在断电时保存数据,同时保持SRAM的高速读写特性。该器件基于Cypress的专利技术,具有高可靠性和长寿命,适用于需要高数据完整性和断电保护的应用场景。
容量:64Mbit
接口类型:SPI(串行外设接口)
最大工作频率:125MHz
供电电压:2.7V至3.6V
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:8引脚SOIC
存储器架构:非易失性SRAM
数据保存方式:通过内部锂电池或超级电容
读写耐久性:无限次读写操作
数据保存时间:典型值为20年(断电状态)
CY14MB064Q1A-SXIT具有多项先进的特性,使其适用于高要求的数据存储应用。首先,该芯片采用SPI接口,支持高速数据传输,最大频率可达125MHz,适用于需要高速访问的系统。其次,其工作电压范围为2.7V至3.6V,适应多种电源管理方案,提高了系统的兼容性和灵活性。
该器件内置非易失性存储单元,能够在断电时自动将SRAM中的数据保存到非易失性存储器中,确保数据不会丢失。恢复供电后,数据可自动恢复到SRAM中,系统无需重新加载初始数据。此外,CY14MB064Q1A-SXIT支持通过外部电池或超级电容供电,确保在主电源失效时仍能保存数据。
在可靠性方面,CY14MB064Q1A-SXIT具有极高的读写耐久性,支持无限次的读写操作,避免了传统EEPROM或Flash存储器的写入寿命限制。其数据保存时间在断电状态下可达20年以上,适用于长期数据记录和关键数据存储的应用。此外,该器件的封装为8引脚SOIC,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),适合各种工业、通信和嵌入式应用。
CY14MB064Q1A-SXIT广泛应用于需要高速数据存储与断电保护的系统中。常见的应用领域包括工业控制系统、通信设备、网络基础设施、智能电表、医疗设备和数据采集系统。例如,在工业自动化系统中,它可以用于存储实时运行数据和关键参数,防止因断电导致的数据丢失;在通信设备中,可用于缓存高速数据流并确保数据完整性;在智能电表中,可用于存储历史用电数据和配置信息。
此外,CY14MB064Q1A-SXIT也适用于需要频繁更新数据并要求高可靠性的应用场景,如POS终端、安防系统、嵌入式控制系统和高精度测试仪器。其高速SPI接口和低功耗特性也使其适用于便携式设备和电池供电系统。
Cypress CY14MB064K1A-100SXI、Cypress CY14B108K-SXIT、Cypress CY14MB164Q1A-SXIT