时间：2025/5/12 16:34:05
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IPD053N08N3G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 DPAK 封装形式。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等场景。其低导通电阻特性能够显著降低功耗并提高效率。同时，它具有快速开关速度和出色的热性能。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：61A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：72nC
开关时间：ton=9ns, toff=18ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IPD053N08N3G 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，这使得它在高电流应用中表现出色，并且可以减少热量生成和能量损失。
此外，该器件的快速开关能力使其非常适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器。
由于采用了先进的制造工艺，这款 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和鲁棒性，能够在异常条件下维持稳定运行。
DPAK 封装提供了优秀的散热性能，便于 PCB 设计和安装。
该芯片适用于多种工业及消费类电子产品领域，包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS)
- 电机驱动控制
- 负载开关
- 电池管理系统 (BMS)
- 汽车电子中的直流电机控制
- 高效 DC-DC 转换器
IPW053N08N3G, IRF540N
