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CY14E256LA-SZ45XIT 发布时间 时间:2025/11/4 4:58:16 查看 阅读:16

CY14E256LA-SZ45XIT是一款由Infineon Technologies(原Cypress Semiconductor)推出的高可靠性、低功耗的非易失性存储器(NVSRAM)芯片。该器件结合了静态随机存取存储器(SRAM)的高速读写性能和持久性存储技术,能够在断电时自动将SRAM中的关键数据保存到内部集成的非易失性存储单元中,从而实现数据的安全保护。CY14E256LA系列属于串行外设接口(SPI)接口类型的NVSRAM产品,具备256 Kbit(32 K × 8位)的存储容量,适用于需要频繁写入且要求数据在掉电后不丢失的应用场景。
  CY14E256LA-SZ45XIT采用先进的超级电容辅助的自动存储(AutoStore)技术和基于量子隧道效应的非易失性元件(Quantum Trapping Element),无需外部电池或备用电源即可完成数据的非易失性保存。其工作电压范围为3.3V ± 10%,支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),封装形式为8引脚SOIC小外形集成电路封装(Small Outline Integrated Circuit, SOIC-8),具有良好的热稳定性和抗干扰能力,适合在恶劣环境下使用。此外,该器件还具备硬件写保护功能、软件写保护命令以及高耐久性的特点,确保系统运行过程中的数据完整性与安全性。

参数

型号:CY14E256LA-SZ45XIT
  制造商:Infineon Technologies
  存储容量:256 Kbit (32K x 8)
  接口类型:SPI (Serial Peripheral Interface)
  工作电压:3.3V ± 10% (3.0V ~ 3.6V)
  时钟频率:最高45 MHz
  访问时间:45 ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8-pin SOIC (Wide Body)
  写耐久性:高达10^14 次写周期
  数据保持时间(非易失性):超过20年 @ 55°C
  自动存储时间:典型值15 ms
  存储器类型:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  写保护功能:支持硬件WP#引脚和软件写保护指令
  存储操作模式:AutoStore, Software Store, Hardware Store

特性

CY14E256LA-SZ45XIT的核心特性之一是其卓越的数据非易失性保障机制。该芯片采用了无电池的AutoStore技术,在检测到主电源电压下降至预设阈值以下时,会立即启动内部电路,利用片上集成的微小储能元件(如硅基电容)提供瞬态能量,将SRAM中的当前数据快速、可靠地复制到非易失性存储阵列中。这一过程完全自动化,无需处理器干预,极大地提高了系统的鲁棒性和数据安全性。相比传统的基于锂电池的NVSRAM方案,这种设计避免了电池老化、泄漏和环境危害等问题,符合RoHS环保标准,并显著延长了产品的使用寿命和维护周期。
  另一个关键特性是其极高的写入耐久性。传统EEPROM或Flash存储器通常只能承受10万到100万次写入操作,而CY14E256LA-SZ45XIT的写耐久性高达10^14次,几乎可以视为无限次写入。这使得它特别适用于需要频繁更新数据的工业控制、医疗设备、测试仪器和金融终端等应用场景。同时,由于其基于标准SRAM架构,读写速度极快,支持字节级随机访问,没有扇区擦除延迟,也不会出现写入前需擦除的问题,显著提升了系统响应效率。
  该器件还支持多种存储操作模式,包括自动存储(AutoStore)、软件触发存储(Software Store)和硬件触发存储(Hardware Store)。用户可以通过配置特定寄存器或拉低专用引脚来手动触发数据保存动作,增强了使用的灵活性。此外,芯片内置完整的写保护机制,既可通过WP#引脚实现硬件级写锁定,也可通过发送特定SPI命令进行软件级保护,有效防止误写或恶意篡改。所有操作均遵循标准SPI通信协议,兼容性强,易于与各类微控制器集成。整体而言,CY14E256LA-SZ45XIT在可靠性、性能和易用性方面达到了高度平衡,是高端嵌入式系统中理想的非易失性缓存解决方案。

应用

CY14E256LA-SZ45XIT广泛应用于对数据完整性要求极高且需要频繁写入的工业和商业领域。典型应用包括工业自动化控制系统中的实时参数记录、PLC(可编程逻辑控制器)的状态保存、数控机床的加工轨迹缓存等。在这些场景中,系统可能随时遭遇意外断电,而该芯片能够确保最后一次操作的关键数据不会丢失,从而避免生产事故或设备损坏。
  在医疗电子设备中,如病人监护仪、影像设备和诊断仪器,CY14E256LA-SZ45XIT用于保存患者设置、校准数据和操作日志,保证设备重启后能恢复到断电前状态,提升用户体验和安全性。在通信基础设施中,例如路由器、交换机和基站模块,该芯片可用于缓存配置信息和运行统计,支持快速启动和故障恢复。
  此外,在金融终端设备如POS机、ATM机和智能卡读写器中,它被用来记录交易流水、加密密钥和状态标志,满足金融行业对数据安全和审计追踪的严格要求。测试与测量仪器(如示波器、频谱分析仪)也依赖此类NVSRAM来暂存采集数据和用户设定,确保即使在突发断电情况下也不会丢失重要测试结果。由于其宽温特性和高抗干扰能力,该芯片同样适用于汽车电子、航空电子和军事装备中的关键子系统。

替代型号

CY14E256L-SX45SIT,CY14E256LA-SX45SIT,CY14MB256Q5-SX45SIT

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CY14E256LA-SZ45XIT参数

  • 数据列表CY14E256LA
  • 标准包装1,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量256K (32K x 8)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳32-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商设备封装32-SOIC
  • 包装带卷 (TR)