时间：2025/11/4 1:46:42
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CY14B256L-SZ45XI 是 Cypress Semiconductor（已被 Infineon Technologies 收购）推出的一款高可靠性、低功耗的串行 F-RAM（铁电随机存取存储器）芯片。该器件结合了 RAM 的高速读写特性和非易失性存储器的数据保持能力，无需外部电池或超级电容即可实现无限次的数据持久化存储。F-RAM 技术基于铁电电容原理，与传统的 EEPROM 或 Flash 存储器不同，它在写入过程中无需等待擦除周期，支持字节级写入且无写入延迟，极大提升了系统响应速度和数据记录效率。
CY14B256L-SZ45XI 提供 256 Kbit（32 K × 8）的存储容量，采用标准的 SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，兼容性强，易于集成到多种嵌入式系统中。其工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，适用于工业、汽车、医疗及物联网等对数据完整性要求较高的应用场景。该器件具备出色的耐久性，可支持高达 10^14 次的读/写操作，远超传统 EEPROM 的 10^6 次限制，显著延长了系统的使用寿命并减少了维护成本。此外，该芯片内置数据轮询和硬件写保护功能，确保关键数据不会被意外覆盖或修改。封装形式为 8-pin SOIC，符合 RoHS 标准，适合自动化生产和高温环境下的长期稳定运行。
品牌: Infineon Technologies (原 Cypress)
类型: 串行 F-RAM
存储容量: 256 Kbit
组织结构: 32K × 8
接口类型: SPI
工作电压: 2.7V ~ 3.6V
时钟频率: 最高 40 MHz
工作温度范围: -40°C ~ +85°C
封装形式: 8-pin SOIC
写入耐久性: 10^14 次
数据保持时间: 10 年以上（典型值）
写入延迟: 无（即时写入）
供电电流: 25 mA（最大值，活跃模式）
待机电流: 15 μA（典型值）
CY14B256L-SZ45XI 的核心优势在于其采用的 F-RAM（铁电存储技术），这项技术使其在性能和可靠性方面远超传统非易失性存储器。F-RAM 使用铁电材料作为存储介质，在电场作用下实现极化状态的改变来表示逻辑“0”和“1”。由于这种极化转换是瞬时且无需能量消耗进行擦除操作的，因此 CY14B256L-SZ45XI 实现了真正的“即时写入”能力，任何数据写入操作都能立即完成，不存在像 Flash 或 EEPROM 那样的编程延时。这一特性对于需要频繁记录传感器数据、日志信息或实时事件的应用至关重要，例如工业控制系统中的过程监控、智能电表的数据采集以及医疗设备的生命体征记录。
该器件支持高达 40 MHz 的 SPI 时钟速率，能够以接近 SRAM 的速度进行数据传输，同时又具备非易失性，极大提升了系统整体的数据吞吐能力和响应效率。相比 EEPROM 在每次写入前必须执行擦除操作，F-RAM 可直接覆写字节内容，避免了复杂的页管理机制和潜在的写失败风险。此外，其惊人的 10^14 次读写耐久性意味着即使每秒进行数千次写操作，也能持续运行数十年而不损坏，极大地增强了系统的可靠性和生命周期。
在功耗方面，CY14B256L-SZ45XI 表现出色。其主动工作电流仅为 25 mA（最大值），待机电流低至 15 μA，非常适合电池供电或对能耗敏感的嵌入式系统。芯片还集成了 Vcc 监测电路和自动写保护功能，当电源电压低于设定阈值时会自动锁定写入操作，防止因电压不稳导致的数据 corruption。所有这些特性共同构成了一个高性能、长寿命、低功耗且高度可靠的非易失性存储解决方案，广泛应用于恶劣环境下的工业自动化、车载电子、便携式仪器等领域。
CY14B256L-SZ45XI 广泛应用于需要高频写入、快速响应和长期数据保存的嵌入式系统中。典型应用包括工业自动化控制器中的配置参数和运行日志存储，因其无需延迟写入，可在断电瞬间迅速保存关键状态信息；在智能电表、水表和气表中用于记录累计用量和事件日志，确保计量数据不丢失且写入寿命满足多年连续运行需求；在医疗设备如监护仪、血糖仪中用于存储患者数据和校准信息，保障数据安全与合规性；在汽车电子系统中，可用于记录故障码、里程信息或驾驶行为数据，适应宽温环境和振动条件；此外，在POS终端、打印机、PLC 和远程传感器节点中也发挥着重要作用，尤其适用于无法使用电池备份的传统 SRAM 方案场景。其 SPI 接口便于与各种微控制器连接，简化了系统设计和软件开发流程。
FM25V05-GTR
CY14X101N-SXIT
MB85RS2MTA-SPIN
