ATB2012-75011-T000是一款基于硅技术的高性能双极性晶体管,专为高频和高增益应用设计。该晶体管具有出色的频率响应和稳定性,适用于无线通信、射频放大器以及其他需要高可靠性的电子电路中。
其封装形式通常为SOT-23,这种小型化的封装使其非常适合空间受限的应用场景。
集电极-发射极电压(Vce):70V
集电极电流(Ic):0.4A
直流电流增益(hFE):100~300
过渡频率(fT):800MHz
最大功耗(Ptot):315mW
工作温度范围:-55℃ to +150℃
ATB2012-75011-T000的主要特点是高频性能优越,能够在高频段提供稳定的增益表现。此外,它还具备低噪声系数和良好的线性度,确保在复杂信号处理中的优异表现。
其小型化封装和高度集成的设计降低了整体解决方案的尺寸,同时提升了系统的效率与可靠性。
另外,该晶体管的工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境下的应用需求。
ATB2012-75011-T000广泛应用于射频前端模块、无线通信设备、工业控制电路以及消费类电子产品中。具体包括:
1. 射频功率放大器
2. 高频振荡器
3. 模拟开关
4. 无线传感器网络
5. 蓝牙和其他短距离无线通信设备
ATB2012-75011-N0011-P000